創新技術

冷熱衝擊測試

模擬冷熱環境的快速變化，藉此評估模組對溫度遽變的耐受能力。 （測試條件：-40°C ~ 110°C，500 次循環）

溫度循環測試

評估模組在極端高低溫交替條件下的耐受程度。 （測試條件：-25°C ~ 100°C，1000 次循環）

高溫與高濕度測試

評估 DRAM 模組在存放條件下，時間和溫度對熱活化故障機制及故障壽命分布的影響。 （測試條件：85°C / 95% 相對濕度，168 小時，符合 JEDEC J-STD-020C MSL 標準）

軍用標準冷熱衝擊測試

模擬極端冷熱環境的快速變化，藉此評估模組耐受溫度劇變的能力。 （測試條件：-40°C ~ 125°C，符合 MIL-STD-810G 503.6 標準）

四象限測試

模擬極端條件以驗證 DRAM 模組在高低溫與高低電壓組合下的效能與穩定性，確保產品在各種環境下的功能與品質穩定。 （測試條件：-40°C / 95°C，±5% 電壓， 24 小時）

燒機測試

驗證 DIMM 在極端高低溫條件下可正常讀寫且資料完整無誤，並排除初期階段的潛在故障。 （測試條件：-40°C / 25°C / 95°C，24 小時）

PCB 彎曲測試

透過推壓測試驗證 PCB 與銲球之間的耐疲勞強度。此測試確保 DRAM 模組在裝運期間，或是系統承受振動和外力時，仍能維持可靠效能。 （測試條件：撓度1.2 mm，符合 EIAJ-4702 標準）

DRAM 模組插拔測試

驗證連接器介面的耐用度。透過反覆插拔測式，確認鍍金接點的穩固性，防止因磨損導致接觸不良，確保長期穩定的電氣連接。 （測試條件：100 次循環，符合 EIA-364-9 標準）

包裝落下測試

評估 DRAM 模組在運輸和處理作業期間，對振動與衝擊的耐受力及韌性。此測試確認模組能耐受掉落衝擊而不受損，並保持功能正常。 （測試條件：落下高度 76 公分，符合 ISTA-1A 標準）

軍用標準振動測試

驗證模組在運行和運輸期間的抗震能力，確保在各種震動條件下，皆能維持機械穩定性與可靠效能。 （測試條件：振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz，符合 MIL-STD-810G 514.7 標準）

振動測試

驗證模組在運行和運輸期間的耐震動能力，確保在各種震動條件下，皆能維持機械穩定性與可靠效能。 （測試條件：振動頻率 80 Hz ~ 2,000 Hz，符合 IEC 60068-2-6 標準）

機械衝擊測試

主要評估 DRAM 模組遭受嚴重衝擊時的可靠度，此類衝擊可能源自處理作業、運輸或現場操作不當時，突如其來的作用力或動作驟變。 （測試條件：衝擊加速度 1,500 g，符合 IEC 60068-2-27 標準）

U 型強固技術（Side Fill）拉力測試

衡量 U 型強固（Side Fill）樹脂在硬化後的抗彎和抗壓程度。 （測試條件：最高拉力 56 kgf）

U 型耐震扣（Rugged Clip）振動測試

評估 U 型耐震扣（Rugged Clip）的機械穩定性，確保扣具在各種條件下，都能牢牢固定模組，避免在操作期間移位。 （測試條件：振動頻率 20 Hz ~ 500 Hz，加速度 3.1G（符合 EIA 364-28 VII 標準））

抗硫化測試

驗證模組的抗硫化腐蝕能力，確保銀製元件在含硫環境下仍能維持正常運作與穩定性。 （測試條件：480 小時，符合 ASTM B809-95 標準）

散熱振動測試

驗證散熱片在強烈振動環境下的固定強度，確保螺絲連接穩固，維持結構穩定性。 （測試條件：振動頻率 20 Hz ~ 500 Hz，加速度 3.1G）

電源開關測試

在極端溫度下連續關機和重啟後，確認 DIMM 能保持正常開啟和關閉。 （測試條件：-40°C ~ 95°C，各 500 次循環，符合 IEC60068-2-2：2007 標準）

自動重開機測試

測試系統於室溫下重開機時，仍可以正常辨識出 DIMM。 （測試條件：-25°C，500 次循環）

S3 循環測試

測試系統在室溫下，能從 S3 休眠狀態成功喚醒，且資料無誤。 （測試條件：-25°C，500 次循環）