SDカード ＆ MicroSDカード
32GB ~ 512GB
MicroSDカード 3TE4
特徴
- SD 6.1 / SD 3.0 / SD 2.0インターフェースに準拠
- Class 10 UHS-III対応
- TLC NANDフラッシュ採用
- 高性能
- 携帯機器および据置機器向け設計
- S.M.A.R.T.機能対応
Innodisk MicroSD 3TE4シリーズは、Class 10およびUHS-Iに対応しています、産業用PCや組み込み用途に特化して設計された製品です。3.0シリーズのSDカードは最新のファームウェアアーキテクチャとフラッシュアルゴリズムを備え、優れたウェアレベリングおよびリードディスターブ管理により最高の信頼性と耐久性を実現しています。
Innodisk MicroSD 3TE4シリーズは32GBから512GBまでの幅広い容量を持ち、優れた品質のTLC NANDフラッシュを採用し、SD 6.1、3.0およびSD 2.0仕様に完全準拠しています。
低消費電力と上述の特徴により、Innodisk MicroSD 3TE4シリーズは産業用自動化、SBC（シングルボードコンピュータ）、医療機器、インフォテインメント、モバイル用途に適応可能です。
ウェアレベリングテクノロジー - 製品の寿命を延長
Innodiskは革新的なウェアレベリングテクノロジーを採用してSSDのストレージ手法を一変させ、寿命を改善します。このテクノロジーをダイナミックストレージブロックと固定ストレージブロックの両方へ適用することで、従来のホットゾーンとコールドゾーンの障害を解消し、全領域でウェアバランスを実現して、すべてのフラッシュメモリブロックの使用を最適化します。
変化の激しい環境へ導入し、成功
産業 / 組込み
過酷な環境向けに設計された当社の製品は、産業オートメーションおよび組み込みシステムの要求を満たす高い耐久性を備えています。
エンターテインメント
当社製品はゲーミングシステムとエンターテイメントプラットフォームでユーザーエクスペリエンスを強化し、スムーズな運用で業界標準を満足させます。
自動化
自動化されたシステムで効率を上げる当社の製品は、正確なデータ管理と長期間のパフォーマンスを産業アプリケーションで実現します。
仕様
| Model Name | MicroSD Card 3TE4 |
|---|---|
| Flash Type | 3D TLC |
| Interface | SD 3.0, SD 6.1 |
| Form Factor | MicroSD Card |
| Capacity | 32GB ~ 512GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 90 / 80 |
| P/E Cycle | 3,000 |
| TBW (Max.) | 1,363 |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 0.7W |
| Max. Channels | 1 |
| External DRAM Buffer | N |
| Features | S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 11.0 x 15.0 x 1.0 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 3 Years |
注文情報
動作温度 | 拡張温度 (-25°C ~ 85°C) | 産業用温度 (-40°C ~ 85°C) |
32GB | DESDM-32GS06EE1SL | DESDM-32GS06EW1SL |
64GB | DESDM-64GS06KE1SL | DESDM-64GS06KW1SL |
128GB | DESDM-A28S06KE1SL | DESDM-A28S06KW1SL |
256GB | DESDM-B56S06KE1SL | DESDM-B56S06KW1SL |
512GB | DESDM-C12S06KE1SL | DESDM-C12S06KW1SL |
*32GB is only supported by 64 layers 3D TLC
