
Tarjetas SD & MicroSD
32 GB ~ 512 GB
Tarjeta MicroSD 3TE4
Características
- Compatible con interfaz SD 6.1 / SD 3.0 / SD 2.0
- Soporta Clase 10 con UHS-III
- Utiliza memoria NAND Flash 3D TLC
- Alto rendimiento
- Dirigido a aplicaciones portátiles y estacionarias
- Función S.M.A.R.T. soportada
La serie Innodisk MicroSD 3TE4, compatible con Clase 10 y UHS-I, está diseñada específicamente para PC industriales y aplicaciones embebidas. La tarjeta SD serie 3.0 cuenta con la arquitectura de firmware más reciente y algoritmos Flash, incluyendo nivelación de desgaste superior y gestión de disturbios de lectura, asegurando la máxima fiabilidad y durabilidad.
La serie Innodisk MicroSD 3TE4 ofrece una amplia gama de capacidades de 32GB a 512GB con memoria NAND Flash TLC de excelente calidad y es totalmente compatible con las especificaciones SD 6.1, SD 3.0 y SD 2.0.
Gracias a su bajo consumo de energía y las características mencionadas, la serie Innodisk MicroSD 3TE4 puede aplicarse a automatización industrial, computadoras de placa única (SBC), equipos médicos, sistemas de infoentretenimiento y aplicaciones móviles.
Tecnología de Nivelación del Desgaste (Wear Leveling): PROLONGACIÓN DE LA VIDA ÚTIL DEL PRODUCTO
Innodisk incorpora una avanzada tecnología de nivelación del desgaste para optimizar el almacenamiento en SSD y extender su vida útil. Esta tecnología se aplica tanto a bloques de almacenamiento dinámicos como estáticos, eliminando los conceptos tradicionales de zonas calientes y frías. De este modo, se logra un equilibrio uniforme del desgaste en toda la unidad, maximizando la eficiencia y durabilidad de cada bloque de memoria flash.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | MicroSD Card 3TE4 |
---|---|
Flash Type | 3D TLC |
Interface | SD 3.0, SD 6.1 |
Form Factor | MicroSD Card |
Capacity | 32GB ~ 512GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 90 / 80 |
P/E Cycle | 3,000 |
TBW (Max.) | 1,363 |
Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
Max. Power Consumption | 0.7W |
Max. Channels | 1 |
External DRAM Buffer | N |
Features | S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 11.0 x 15.0 x 1.0 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 3 Years |
INFORMACIÓN DE P/N
Temperatura Operativa | Grado Extendida (-25°C ~ 85°C) | Grado Industrial (-40°C ~ 85°C) |
32GB | DESDM-32GS06EE1SL | DESDM-32GS06EW1SL |
64GB | DESDM-64GS06%E1SL | DESDM-64GS06%W1SL |
128GB | DESDM-A28S06%E1SL | DESDM-A28S06%W1SL |
256GB | DESDM-B56S06%E1SL | DESDM-B56S06%W1SL |
512GB | DESDM-C12S06%E1SL | DESDM-C12S06%W1SL |
%. G : 96 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
32GB is only supported by 64 layers 3D TLC