DDR4
ECC Unbuffered Memory
DDR4 ECC SODIMM
特徵
- スモールアウトライン・デュアルインラインメモリモジュール
- ECC DIMMはエラー訂正・検出機能を搭載
- 安定性とパフォーマンスのために徹底的にテストされ、最適化されています
- 厳格な業界規格を満たすオリジナルICを採用
- 過酷な環境下でも耐硫化保護を実現
- JEDEC規格 1.2V (1.26V～1.14V)
- 動作環境: 0°C～95°C (Tc)
- 30μインチ金メッキ端子、RoHS指令準拠、CE/FCC認証
DDR4 ECC SODIMMは、業界最速のアンバッファーメモリ速度3200MT/sを実現し、Intel® Purelyプラットフォームに完全対応しています。モジュールは30μインチの金メッキ端子を備え、シングルビットエラー訂正機能を搭載し、ネットワークおよびサーバー用途向けに設計されています。容量は2GB、4GB、8GB、16GB、32GBからお選びいただけます。さらに、2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s、2933MT/sのモジュールもご用意しています。
ECC機能は、データの保存および転送中に発生するシングルビットエラーを検出し、訂正するように設計されています。ECCモジュールは、ハミングコードまたは三重冗長化（Triple Modular Redundancy）を使用してエラー検出と訂正を行い、データソースに元のデータの再送信を要求することなく、モジュール自体でエラー訂正を行います。
アンチサルフェーション保護レイヤーでモジュールを防護
硫黄は多くの産業で生成されます。DRAMチップの銀合金が硫黄ガスに触れると、腐食反応が発生します。この硫化は伝導率を下げ製品の故障につながります。この事態を避けるため、Innodiskは繊細な部品に保護レイヤーを追加し、銀合金を保護しています。
サードパーティのテストで実証された信頼性
厳しい環境の要件を満足するには、コンポーネントの耐久性と信頼性を確保することが不可欠です。当社のソリューションは厳しいサードパーティテストを経て、高い業界基準を満たしています。これらのテストで過酷な条件下での当社製品の堅牢性を検証し、様々なアプリケーションで安定した性能を発揮することを実証しています。
| 屈曲試験 | 偏向1.2 mm、EIAJ-4702 |
| DRAMモジュールの挿抜試験 | 最大100サイクル、EIA-364-9 |
| パッケージ落下試験 | 落下高76 cm、ISTA-1A |
| 熱衝撃 | -40°C～110°C、500サイクル |
| 軍需規格に基づく振動試験 | 振動周波数 10 Hz ～ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
| アンチサルフェーション試験 | 480時間、ASTM B809-95 |
顧客独自のニーズに合わせてカスタマイズ
サイドフィル
サイドフィルはチップと基板間の接続を強化し、振動や機械ストレスの大きい環境で、優れた保護を提供します。
コンフォーマルコーティング
コンフォーマルコーティングはDRAM PCBへアクリル保護層を追加し、湿気、埃、腐食性物質などの有害な物質から隔離します。
変化の激しい環境へ導入し、成功
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
エッジサーバー
エッジコンピューティング用に設計された当社の製品は厳しい条件で安定した性能を発揮し、エッジデバイスでリアルタイムにデータを処理できるよう支援します。
データセンター
現代のコンピューティングの屋台骨を駆動する当社のソリューションは、データを多用する運用で高性能と高信頼性を提供します。
通信
当社のソリューションは安定した中断のないパフォーマンスで、高負荷の条件下でもネットワーク接続と重要な電気通信のインフラをサポートします。
仕様
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
注文情報
P/N | IC 構成 | Rank | 温度 | 說明 |
M4D0-2GSVPCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSXPCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSSPCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSYPCEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSSQCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GS1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GM1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-BGS2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
M4D0-BGM2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
