DDR4
Memoria sin Búfer con ECC
DDR4 ECC SODIMM
Características
- Módulo de memoria de doble línea de pequeño formato (SODIMM)
- ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para estabilidad y rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección contra sulfatación para entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- Entorno de operación: 0°C ~ 95°C (Tc)
- Dedo de oro de 30μ” y Cumplimiento RoHS, Certificación CE / FCC
DDR4 ECC SODIMM ofrece la velocidad de memoria sin búfer más rápida de la industria con 3200MT/s, y es totalmente compatible con la plataforma Intel® Purley. Los módulos cuentan con dedos de oro de 30μ”, incluyen corrección de errores de un solo bit y están diseñados para uso en redes y servidores. Todos están disponibles en capacidades de 2GB, 4GB, 8GB, 16GB y 32GB. También están disponibles módulos de 2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s y 2933MT/s.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan Código Hamming o Redundancia Modular Triple para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores por sí mismos, sin solicitar que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de flexión | Deformación de 1,2 mm, EIAJ-4702 |
| Prueba de inserción y extracción del módulo DRAM | hasta 100 ciclos, EIA-364-9 |
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de vibración según estándar militar | Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
| Prueba de anti-sulfuración | 480 horas, ASTM B809-95 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
SERVIDOR EDGE
Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.
CENTRO DE DATOS
Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.
COMUNICACIÓN
Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4D0-2GSVPCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSXPCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSSPCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSYPCEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSSQCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GS1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GM1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-BGS2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
M4D0-BGM2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
