DDR4
ECC Unbuffered Speicher
DDR4 ECC SODIMM
Merkmale
- Small Outline Dual In-Line Memory Module
- ECC-DIMM mit Fehlerkorrektur- und Erkennungsfunktion
- Vollständig getestet und für Stabilität und Leistung optimiert
- Verwendet originale ICs, um strenge Industriestandards zu erfüllen
- Anti-Sulfidierungs-Schutz gegen raue Umgebungen
- JEDEC-Standard 1,2V (1,26V ~ 1,14V)
- Betriebstemperaturbereich: 0°C ~ 95°C (Tc)
- 30μ” Goldfinger und RoHS-konform, CE / FCC-Zertifizierung
DDR4 ECC SODIMM bietet die schnellste unbuffered Speichergeschwindigkeit der Branche mit 3200MT/s und ist vollständig kompatibel mit der Intel® Purely-Plattform. Die Module sind mit 30μ” Goldfingern ausgestattet, verfügen über Einzelbit-Fehlerkorrektur und sind für den Einsatz in Netzwerken und Servern konzipiert. Alle sind in Kapazitäten von 2GB, 4GB, 8GB, 16GB und 32GB erhältlich. Module mit 2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s und 2933MT/s sind ebenfalls verfügbar.
Die ECC-Funktion ist darauf ausgelegt, Einzelbit-Fehler zu erkennen und zu korrigieren, die während der Datenspeicherung und -übertragung auftreten. ECC-Module verwenden Hamming-Code oder Triple Modular Redundancy zur Fehlererkennung und -korrektur und verwalten Korrekturen eigenständig, ohne dass die Datenquelle die Originaldaten erneut senden muss.
SCHUTZ DER MODULE DURCH EINE SCHUTZSCHICHT GEGEN VERSCHWEFELUNG
Schwefel wird in vielen Branchen verwendet. Werden die Silberlegierungen im DRAM-Chip Schwefelgasen ausgesetzt, erfolgt eine Korrisionsreaktion. Eine solche „Verschwefelung“ verringert die Leitfähigkeit und kann schnell zu einem Ausfall des Produkts führen. Um dem entgegenzuwirken, werden die davon betroffenen Bauteile bei Innodisk speziell beschichtet, um die Silberlegierung zu schützen.
GEPRÜFTE ZUVERLÄSSIGKEIT DURCH TEST VON DRITTANBIETERN
Die Gewährleistung von Robustheit und Langlebigkeit der Komponenten ist für einen problemlosen Betrieb unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen unerlässlich. Unsere Lösungen durchlaufen harte Tests durch unabhängige Stellen, bei denen strenge Industriestandards eingehalten werden. Diese Tests bestätigen die Robustheit unserer Produkte unter extremen Bedingungen, damit sich die Kunden bei den verschiedensten Anwendungen auf deren Leistung verlassen können.
| Biegetest | 1,2 mm Biegung, EIAJ-4702 |
| Einbau/Ausbauprüfung für DRAM-Modul | Bis zu 100 Zyklen, EIA-364-9 |
| Verpackungs -Falltest | Fallhöhe 76 cm, ISTA-1A |
| Thermoschock | -40°C ~ 110°C, 500 Zyklen |
| Militärstandard-Vibrationstest | Vibrationsfrequenz 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
| Anti-Sulfurierungs-Prüfung | 480 Stunden, ASTM B809-95 |
AUF IHRE SPEZIFISCHEN ANFORDERUNGEN ZUGESCHNITTEN
SIDE FILL
Die Side Fill-Technologie verstärkt die Verbindung zwischen den Chips und der Platine und gewährleistet so einen hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hoher Vibration oder mechanischer Beanspruchung.
KONFORME BESCHICHTUNG
Bei der konformen Beschichtung erhält die DRAM PCB eine Acrylschutzschicht, die sie vor einer Beschädigung durch Feuchte, Staub und korrosive Substanzen schützt.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
EDGE-SERVER
Unsere für Edge-Computing konzipierten Produkte gewährleisten eine stabile Leistung unter rauen Bedingungen und unterstützen die Echtzeit-Datenverarbeitung für Edge-Geräte.
RECHENZENTRUM
Unsere Lösungen bilden das Rückgrat moderner Datenverarbeitung und Zuverlässigkeit bei datenintensiven Vorgängen.
KOMMUNIKATION
Unsere Lösungen gewährleisten zuverlässigen und unterbrechungsfreien Betrieb und unterstützen Netzwerke und kritische Telekommunikationsinfrastrukturen auch bei hoher Auslastung.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
BESTELLINFORMATIONEN
P/N | IC-Konfiguration | Rang | Temperatur | Beschreibung |
M4D0-2GSVPCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSXPCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-4GSSPCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSYPCEM | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GSSQCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GS1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-8GM1PCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM1QCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGS2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-AGM2PCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC SODIMM |
M4D0-BGS2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
M4D0-BGM2QCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC SODIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
