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DDR4 Wide Temp. ECC SODIMM VLP

DDR4

ECC Unbuffered Speicher

DDR4 Wide Temp. ECC SODIMM VLP

Merkmale

  • Sehr niedriges Profil, speziell für den Einsatz in 1U-Systemen entwickelt
  • ECC-DIMM mit Fehlerkorrektur- und Erkennungsfunktion
  • Vollständig getestet und für Stabilität und Leistung optimiert
  • Verwendet originale ICs, um strenge Industriestandards zu erfüllen
  • Anti-Sulfidierungs-Schutz für raue Umgebungen
  • JEDEC-Standard 1,2V (1,26V ~ 1,14V)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (Tc)
  • 30μ” Goldfinger, RoHS-konform sowie CE-/FCC-Zertifizierung
     
FÜR HÖCHSTE LEISTUNG ENTWICKELT

DDR4 Wide Temperature ECC SODIMM VLP ist ein kompaktes und sehr flaches Modul, das mit 3200 MT/s die schnellste Speichergeschwindigkeit der Branche bietet und vollständig mit der Intel® Purely-Plattform und 1U-Geräten kompatibel ist. Die Module sind mit 30-μ-Goldkontakten ausgestattet, bieten Einzelbit-Fehlerkorrektur und sind für den Einsatz in Netzwerken und Servern konzipiert. Alle Module sind mit 8 GB Speicherkapazität erhältlich. Module mit 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s und 2933 MT/s sind ebenfalls erhältlich.

VLP-DIMM-Module sind speziell für den Einsatz in 1-HE-Systemen, wie z. B. Blade-Server-Rechenzentren, mit einer Systemhöhe von weniger als 3 cm (1,18 Zoll) konzipiert. Das Design dieser Module verbessert die Luftzirkulation im System und reduziert die thermische Belastung.

Die ECC-Funktion erkennt und korrigiert Einzelbitfehler, die bei der Datenspeicherung und -übertragung auftreten. ECC-Module nutzen Hamming-Code oder dreifache modulare Redundanz zur Fehlererkennung und -korrektur und führen Fehlerkorrekturen selbstständig durch, ohne dass die Datenquelle die Originaldaten erneut senden muss.

SCHUTZ DER MODULE DURCH EINE SCHUTZSCHICHT GEGEN VERSCHWEFELUNG

Schwefel wird in vielen Branchen verwendet. Werden die Silberlegierungen im DRAM-Chip Schwefelgasen ausgesetzt, erfolgt eine Korrisionsreaktion. Eine solche „Verschwefelung“ verringert die Leitfähigkeit und kann schnell zu einem Ausfall des Produkts führen. Um dem entgegenzuwirken, werden die davon betroffenen Bauteile bei Innodisk speziell beschichtet, um die Silberlegierung zu schützen.


   Anti-Sulfuration >  
 

GEPRÜFTE ZUVERLÄSSIGKEIT DURCH TEST VON DRITTANBIETERN

Die Gewährleistung von Robustheit und Langlebigkeit der Komponenten ist für einen problemlosen Betrieb unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen unerlässlich. Unsere Lösungen durchlaufen harte Tests durch unabhängige Stellen, bei denen strenge Industriestandards eingehalten werden. Diese Tests bestätigen die Robustheit unserer Produkte unter extremen Bedingungen, damit sich die Kunden bei den verschiedensten Anwendungen auf deren Leistung verlassen können.

 

Verpackungs -FalltestFallhöhe 76 cm, ISTA-1A
Thermoschock-40°C ~ 110°C, 500 Zyklen
Militärstandard-VibrationstestVibrationsfrequenz 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7

AUF IHRE SPEZIFISCHEN ANFORDERUNGEN ZUGESCHNITTEN

SIDE FILL

Die Side Fill-Technologie verstärkt die Verbindung zwischen den Chips und der Platine und gewährleistet so einen hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hoher Vibration oder mechanischer Beanspruchung.

KONFORME BESCHICHTUNG

Bei der konformen Beschichtung erhält die DRAM PCB eine Acrylschutzschicht, die sie vor einer Beschädigung durch Feuchte, Staub und korrosive Substanzen schützt.

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT

EDGE-SERVER
EDGE-SERVER

Unsere für Edge-Computing konzipierten Produkte gewährleisten eine stabile Leistung unter rauen Bedingungen und unterstützen die Echtzeit-Datenverarbeitung für Edge-Geräte.

RECHENZENTRUM
RECHENZENTRUM

Unsere Lösungen bilden das Rückgrat moderner Datenverarbeitung und Zuverlässigkeit bei datenintensiven Vorgängen.

KOMMUNIKATION
KOMMUNIKATION

Unsere Lösungen gewährleisten zuverlässigen und unterbrechungsfreien Betrieb und unterstützen Netzwerke und kritische Telekommunikationsinfrastrukturen auch bei hoher Auslastung.

SPEZIFIKATIONEN

Model NameDDR4 Wide Temperature ECC SODIMM VLP
DDR GenerationDDR4 Memory
DIMM TypeECC SODIMM VLP
Speed2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density8GB
FunctionECC Unbuffered Memory
Pin Number260pin
Bus Widthx72
Voltage1.2V
PCB Height0.7 Inches
Operating Temperature0°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold FingerY
Anti-SulfurationY

BESTELLINFORMATIONEN

P/N

IC-Konfiguration

Rang

Temperatur

Beschreibung

M4D0-8GS1I5EM

1G x 8

1R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB Wide Temperature ECC SODIMM VLP


*Please contact Innodisk for products with other speeds.

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