DDR4
ECC Unbuffered Memory
DDR4 ECC SODIMM VLP
特徵
- 1Uシステムでの使用に特化した超薄型設計
- ECC DIMMはエラー訂正・検出機能を搭載
- 安定性とパフォーマンスを最大限に高めるために徹底的にテスト・最適化
- 厳格な業界規格を満たすオリジナルICを採用
- 過酷な環境下でも耐硫化保護を実現
- JEDEC規格 1.2V (1.26V～1.14V)
- 動作環境: 0°C～95°C (Tc)
- 30μインチ金メッキ端子、RoHS指令準拠、CE/FCC認証
DDR4 ECC SODIMM VLP は、3200MT/s という業界最速のメモリ速度を提供するコンパクトで非常に薄型のモジュールであり、Intel® Purely プラットフォームおよび 1U デバイスと完全に互換性があります。これらのモジュールは30μインチの金メッキ端子を備え、シングルビットエラー訂正機能を備え、ネットワークおよびサーバー用途向けに設計されています。容量は4GBと8GBの2種類をご用意しています。2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s、2933MT/sのモジュールもご用意しています。
VLP DIMMモジュールは、ブレードサーバーやデータセンターなど、システムの高さが1.18インチ未満の1Uシステムでの使用に特化しています。これらのモジュールの設計により、システム内のエアフローが改善され、熱の影響が軽減されます。
ECC機能は、データの保存および転送中に発生するシングルビットエラーを検出し、訂正するように設計されています。ECCモジュールは、ハミングコードまたは三重冗長化（Triple Modular Redundancy）を使用してエラー検出と訂正を行い、データソースに元のデータの再送信を要求することなく、モジュール自身でエラー訂正を管理します。
アンチサルフェーション保護レイヤーでモジュールを防護
硫黄は多くの産業で生成されます。DRAMチップの銀合金が硫黄ガスに触れると、腐食反応が発生します。この硫化は伝導率を下げ製品の故障につながります。この事態を避けるため、Innodiskは繊細な部品に保護レイヤーを追加し、銀合金を保護しています。
サードパーティのテストで実証された信頼性
厳しい環境の要件を満足するには、コンポーネントの耐久性と信頼性を確保することが不可欠です。当社のソリューションは厳しいサードパーティテストを経て、高い業界基準を満たしています。これらのテストで過酷な条件下での当社製品の堅牢性を検証し、様々なアプリケーションで安定した性能を発揮することを実証しています。
| パッケージ落下試験 | 落下高76 cm、ISTA-1A |
| 熱衝撃 | -40°C～110°C、500サイクル |
| 軍需規格に基づく振動試験 | 振動周波数 10 Hz ～ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
顧客独自のニーズに合わせてカスタマイズ
サイドフィル
サイドフィルはチップと基板間の接続を強化し、振動や機械ストレスの大きい環境で、優れた保護を提供します。
コンフォーマルコーティング
コンフォーマルコーティングはDRAM PCBへアクリル保護層を追加し、湿気、埃、腐食性物質などの有害な物質から隔離します。
変化の激しい環境へ導入し、成功
エッジサーバー
エッジコンピューティング用に設計された当社の製品は厳しい条件で安定した性能を発揮し、エッジデバイスでリアルタイムにデータを処理できるよう支援します。
データセンター
現代のコンピューティングの屋台骨を駆動する当社のソリューションは、データを多用する運用で高性能と高信頼性を提供します。
通信
当社のソリューションは安定した中断のないパフォーマンスで、高負荷の条件下でもネットワーク接続と重要な電気通信のインフラをサポートします。
仕様
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.7 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
注文情報
P/N | IC 構成 | Rank | 温度 | 說明 |
M4D0-4GSSICEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM VLP |
M4D0-8GS1ICEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM VLP |
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