
DDR4
Memoria Registrada con ECC
DDR4 Wide Temp. RDIMM VLP
Características
- Registro que mejora las señales de reloj, comando y control
- ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para estabilidad y rendimiento
- Utiliza CI original para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección antisulfuración contra ambientes hostiles
- Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- Entorno de operación: -40°C ~ 95°C (Tc)
- Cumplimiento RoHS, Certificación CE / FCC
La memoria DDR4 RDIMM VLP de temperatura amplia es un diseño de perfil muy bajo que ofrece la velocidad de memoria más rápida de la industria con 3200MT/s, y es totalmente compatible con la plataforma Intel® Purley y dispositivos 1U. Los módulos están equipados con 30μ” Gold Finger e incluyen corrección de error de un solo bit y un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC relevantes y pueden operar en temperaturas de -40°C a 95°C (Tc).
Los módulos VLP DIMM están especializados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos de servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 1.18 pulgadas. El diseño de estos módulos mejora el flujo de aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el Código de Hamming o Redundancia Modular Triple para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores por sí mismos, sin solicitar que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
SAFEGUARDING MODULES WITH ANTI-SULFURATION PROTECTIVE LAYER
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | DDR4 Wide Temperature RDIMM VLP |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | RDIMM VLP |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
Function | Registered Memory with ECC |
Pin Number | 288pin |
Bus Width | x72 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 0.738 Inches |
Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (Tc) |
30μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
Notice | 4GB is only for 2133MT/s and 2400MT/s |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4R0-4GSSC5EM | 512M x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-8GSSD5EM | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-8GS1C5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-AGS1D5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-AGS2C5EM | 2G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-BGS2D5EM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature RDIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.