DDR4
Memoria Registrada con ECC
DDR4 RDIMM
Características
- Registro que mejora las señales de reloj, comando y control
- ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para estabilidad y rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección antisulfuración contra entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- Entorno de funcionamiento: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
- Cumplimiento RoHS, certificación CE / FCC
La DDR4 RDIMM ofrece la velocidad de memoria más rápida de la industria con 3200 MT/s y es totalmente compatible con la plataforma Intel® Purley. Los módulos están equipados con contactos dorados de 30 μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit y un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control. Todos están disponibles en capacidades desde 4 GB hasta 64 GB. También hay módulos disponibles con velocidades de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s y 2933 MT/s.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el código de Hamming o la redundancia modular triple para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores de forma autónoma, sin requerir que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de flexión | Deformación de 1,2 mm, EIAJ-4702 |
| Prueba de inserción y extracción del módulo DRAM | hasta 100 ciclos, EIA-364-9 |
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de vibración según estándar militar | Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
| Prueba de anti-sulfuración | 480 horas, ASTM B809-95 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
Unwavering High-performance DRAM for Critical Data Center Servers
A leading telecommunications company focused on cloud management solutions decided to upgrade its data center hardware to unify its enterprise infrastructure.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 RDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | RDIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB, 64GB |
| Function | Registered Memory with ECC |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.23 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
| Notice | The 32GB module is not equipped with anti-sulfuration features. |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4R0-4GSSACEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB RDIMM |
M4R0-8GSSBCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB RDIMM |
M4R0-8GS1ACEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB RDIMM |
M4R0-8GM1ACEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB RDIMM |
M4R0-AGS1BCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB RDIMM |
M4R0-AGM1BCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB RDIMM |
M4R0-AGS2ACEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB RDIMM |
M4R0-BGS2BCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB RDIMM |
M4R0-BGS3GCEM | 2G x 4 | 2R x 4 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB RDIMM |
M4R0-CGS7GCEM | 4G x 4 | 2R x 4 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 64GB RDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
