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DDR4 RDIMM VLP

DDR4

Memoria Registrada con ECC

DDR4 RDIMM VLP

Características

  • Registro para mejorar las señales de reloj, comando y control
  • El ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
  • Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
  • Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
  • Protección antisulfuración contra entornos hostiles
  • Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
  • Entorno de funcionamiento: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
  • Cumplimiento RoHS, certificación CE / FCC
     
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

El DDR4 RDIMM VLP es un módulo compacto y de perfil muy bajo que ofrece la velocidad de memoria más rápida de la industria con 3200 MT/s, y es totalmente compatible con la plataforma Intel® Purley y dispositivos 1U. Los módulos están equipados con contactos dorados de 30 μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit y un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control. Todos están disponibles en capacidades de 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB. También hay módulos disponibles de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s y 2933 MT/s.

Los módulos VLP DIMM están especializados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos de servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 1,18 pulgadas. El diseño de estos módulos mejora el flujo de aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.

La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el código de Hamming o la redundancia modular triple para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores de forma autónoma, sin requerir que la fuente de datos reenvíe los datos originales.

PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN

El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.


  Anti-Sulfuration >  

FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS

Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.

 

Prueba de caída del paquete
Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A
Choque térmico
de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos
Prueba de vibración según estándar militar
Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz
MIL-STD-810G 514.7

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA

SIDE FILL

El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO

El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

SERVIDOR EDGE
SERVIDOR EDGE

Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.

CENTRO DE DATOS
CENTRO DE DATOS

Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.

COMUNICACIÓN
COMUNICACIÓN

Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.

ESPECIFICACIONES

Model NameDDR4 RDIMM VLP
DDR GenerationDDR4 Memory
DIMM TypeRDIMM VLP
Speed2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density4GB, 8GB, 16GB, 32GB
FunctionRegistered Memory with ECC
Pin Number288pin
Bus Widthx72
Voltage1.2V
PCB Height0.738 Inches
Operating Temperature0°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold FingerY
Anti-SulfurationY

INFORMACIÓN DE P/N

P/N

Configuración IC

Rango

Temp.

Descripción

M4R0-4GSSCCEM

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB RDIMM VLP

M4R0-8GSSDCEM

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB RDIMM VLP

M4R0-8GS1CCEM

1G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB RDIMM VLP

M4R0-AGS1DCEM

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB RDIMM VLP

M4R0-AGS2CCEM

2G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB RDIMM VLP

M4R0-BGS2DCEM

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB RDIMM VLP

M4R0-BGM2DCEM

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB RDIMM VLP


*Please contact Innodisk for products with other speeds.

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