
DDR4
Memoria Registrada con ECC
DDR4 Wide Temp. RDIMM
Características
- Registro que mejora las señales de reloj, comando y control
- El ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección antisulfuración contra entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- Entorno de funcionamiento: -40 °C ~ 95 °C (Tc)
- Cumplimiento RoHS, certificación CE / FCC
La DDR4 RDIMM de temperatura extendida ofrece la velocidad de memoria más rápida de la industria con 3200 MT/s y es totalmente compatible con la plataforma Intel® Purley. Los módulos cuentan con contactos dorados de 30 μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit y un registro para mejorar las señales de reloj, comando y control. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC relevantes y pueden operar en temperaturas de -40 °C a 95 °C (Tc). Todos están disponibles en capacidades de 4 GB a 32 GB, mientras que los módulos de 2133 MT/s, 2400 MT/s y 2666 MT/s también incluyen capacidad de 32 GB.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el código de Hamming o la redundancia modular triple para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores de forma autónoma, sin requerir que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | DDR4 Wide Temperature RDIMM |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | RDIMM |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
Function | Registered Memory with ECC |
Pin Number | 288pin |
Bus Width | x72 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 1.23 Inches |
Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (Tc) |
30μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4R0-4GSSA5EM | 512M x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-8GSSB5EM | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-8GS1A5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-8GM1A5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-AGS1B5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-AGM1B5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-AGS2A5EM | 2G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM |
M4R0-BGS2B5EM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature RDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.