
DDR4
Memoria sin Búfer con ECC
DDR4 Wide Temp. ECC UDIMM
Características
- La DIMM ECC incorpora funciones de corrección y detección de errores
- Completamente probada y optimizada para garantizar estabilidad y rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con los estrictos estándares industriales
- Protección contra la sulfuración en entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1,2 V (1,26 V ~ 1,14 V)
- Entorno operativo: -40 °C ~ 95 °C (Tc)
- 30 μ’ Gold Finger
- Cumplimiento con RoHS y certificación CE/FCC
La memoria UDIMM DDR4 ECC de temperatura amplia ofrece la velocidad de memoria más rápida del sector con 3200 MT/s, ideal para cualquier aplicación de vehículos, vigilancia, automatización e integrada. Los módulos incorporan Gold Fingers de 30 μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit. La memoria UDIMM DDR4 ECC de temperatura amplia puede funcionar a temperaturas de -40 °C a 95 °C (Tc) y está disponible en capacidades de 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB. También disponemos de módulos de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s y 2933 MT/s.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que se producen durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el código de Hamming o la triple redundancia modular para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de forma autónoma, sin necesidad de que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | DDR4 Wide Temperature ECC UDIMM |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | ECC UDIMM |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
Function | ECC Unbuffered Memory |
Pin Number | 288pin |
Bus Width | x72 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 1.23 Inches |
Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (Tc) |
30μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4C0-4GSSL5EM | 512M x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-8GSSM5EM | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-8GS1L5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-8GM1L5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-AGS1M5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-AGM1M5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-AGS2L5EM | 2G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-AGM2L5EM | 2G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-BGS2M5EM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature ECC UDIMM |
M4C0-BGM2M5EM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature ECC UDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.