DDR4
Memoria sin Búfer con ECC
DDR4 ECC UDIMM
Características
- El DIMM ECC incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección contra la sulfatación para entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- Entorno de operación: 0°C ~ 95°C (Tc)
- Dedo de oro de 30μ”
- Cumplimiento RoHS y certificación CE / FCC
DDR4 ECC UDIMM es un módulo de memoria para aplicaciones de red y servidor que permite el diseño en los routers, switches y puentes más compactos. Los módulos incorporan Gold Fingers de 30 μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit. Todos están disponibles en capacidades de 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB. También hay módulos de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s y 3200 MT/s.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que se producen durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el código Hamming o la triple redundancia modular para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de forma autónoma, sin necesidad de que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de flexión | Deformación de 1,2 mm, EIAJ-4702 |
| Prueba de inserción y extracción del módulo DRAM | hasta 100 ciclos, EIA-364-9 |
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de vibración según estándar militar | Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
| Prueba de anti-sulfuración | 480 horas, ASTM B809-95 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
SERVIDOR EDGE
Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.
CENTRO DE DATOS
Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.
COMUNICACIÓN
Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 ECC UDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC UDIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.23 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4C0-4GSSLCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC UDIMM |
M4C0-8GSSMCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM |
M4C0-8GS1LCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM |
M4C0-8GM1LCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM |
M4C0-AGS1MCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM |
M4C0-AGM1MCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM |
M4C0-AGS2LCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM |
M4C0-AGM2LCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM |
M4C0-BGS2MCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM |
M4C0-BGM2MCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
