DDR4
Memoria sin Búfer con ECC
DDR4 ECC UDIMM VLP
Características
- Perfil muy bajo, especializado para sistemas 1U
- La memoria DIMM ECC incorpora funciones de corrección y detección de errores
- Completamente probada y optimizada para garantizar estabilidad y rendimiento
- Utiliza el circuito integrado original para cumplir con los estrictos estándares industriales
- Protección contra la sulfuración en entornos hostiles
- Estándar JEDEC: 1,2 V (1,26 V ~ 1,14 V)
- Entorno operativo: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
- 30 μ’ Gold Finger, cumplimiento con RoHS y certificación CE/FCC
DDR4 ECC UDIMM VLP ofrece un diseño de perfil bajo y la velocidad de memoria más rápida de la industria con 3200 MT/s. Los módulos vienen equipados con Gold Fingers de 30 μ”, incluyen corrección de errores de un solo bit y están diseñados para redes y servidores. Están disponibles en capacidades de 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB. También hay módulos de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s y 2933 MT/s.
Los módulos VLP están diseñados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos con servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 30 mm. El diseño de estos módulos mejora el flujo de aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el código Hamming o la triple redundancia modular para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores de forma autónoma, sin solicitar que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de vibración según estándar militar | Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
SERVIDOR EDGE
Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.
CENTRO DE DATOS
Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.
COMUNICACIÓN
Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 ECC UDIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC UDIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.738 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4C0-4GSSSCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-8GSSTCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-8GS1SCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-AGS1TCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-BGM2TCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-BGS2TCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
RECURSOS DESTACADOS
