DDR4
ECC Unbuffered Speicher
DDR4 ECC UDIMM VLP
Merkmale
- Sehr flache Bauweise, speziell für den Einsatz in 1HE-Systemen
- ECC-DIMM mit Fehlerkorrektur- und -erkennungsfunktionen
- Umfassend getestet und optimiert für Stabilität und Leistung
- Verwendet Original-IC zur Einhaltung strenger Industriestandards
- Schutz vor Schwefelbildung in rauen Umgebungen
- JEDEC-Standard 1,2 V (1,26 V ~ 1,14 V)
- Betriebsumgebung: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
- 30 μ’’ Goldfinger, RoHS-konform und CE-/FCC-zertifiziert
DDR4 ECC UDIMM VLP bietet ein flaches Design und die branchenweit höchste Speichergeschwindigkeit mit 3200 MT/s. Die Module sind mit 30 μ" Goldkontakten ausgestattet, verfügen über eine Einzelbit-Fehlerkorrektur und sind für den Einsatz in Netzwerken und Servern konzipiert. Die Module sind mit Kapazitäten von 4 GB, 8 GB, 16 GB und 32 GB erhältlich. Module mit 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s und 2933 MT/s sind ebenfalls verfügbar.
VLP-Module sind speziell für den Einsatz in 1U-Systemen, wie z. B. Blade-Server-Rechenzentren, mit einer Systemhöhe von weniger als 3 cm (1,18 Zoll) konzipiert. Das Design dieser Module verbessert die Luftzirkulation im System und reduziert die thermische Belastung.
Die ECC-Funktion erkennt und korrigiert Einzelbitfehler, die bei der Datenspeicherung und -übertragung auftreten. ECC-Module nutzen Hamming-Code oder dreifache modulare Redundanz zur Fehlererkennung und -korrektur und führen Fehlerkorrekturen selbstständig durch, ohne dass die Datenquelle die Originaldaten erneut senden muss.
SCHUTZ DER MODULE DURCH EINE SCHUTZSCHICHT GEGEN VERSCHWEFELUNG
Schwefel wird in vielen Branchen verwendet. Werden die Silberlegierungen im DRAM-Chip Schwefelgasen ausgesetzt, erfolgt eine Korrisionsreaktion. Eine solche „Verschwefelung“ verringert die Leitfähigkeit und kann schnell zu einem Ausfall des Produkts führen. Um dem entgegenzuwirken, werden die davon betroffenen Bauteile bei Innodisk speziell beschichtet, um die Silberlegierung zu schützen.
GEPRÜFTE ZUVERLÄSSIGKEIT DURCH TEST VON DRITTANBIETERN
Die Gewährleistung von Robustheit und Langlebigkeit der Komponenten ist für einen problemlosen Betrieb unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen unerlässlich. Unsere Lösungen durchlaufen harte Tests durch unabhängige Stellen, bei denen strenge Industriestandards eingehalten werden. Diese Tests bestätigen die Robustheit unserer Produkte unter extremen Bedingungen, damit sich die Kunden bei den verschiedensten Anwendungen auf deren Leistung verlassen können.
| Verpackungs -Falltest | Fallhöhe 76 cm, ISTA-1A |
| Thermoschock | -40°C ~ 110°C, 500 Zyklen |
| Militärstandard-Vibrationstest | Vibrationsfrequenz 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
AUF IHRE SPEZIFISCHEN ANFORDERUNGEN ZUGESCHNITTEN
SIDE FILL
Die Side Fill-Technologie verstärkt die Verbindung zwischen den Chips und der Platine und gewährleistet so einen hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hoher Vibration oder mechanischer Beanspruchung.
KONFORME BESCHICHTUNG
Bei der konformen Beschichtung erhält die DRAM PCB eine Acrylschutzschicht, die sie vor einer Beschädigung durch Feuchte, Staub und korrosive Substanzen schützt.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
EDGE-SERVER
Unsere für Edge-Computing konzipierten Produkte gewährleisten eine stabile Leistung unter rauen Bedingungen und unterstützen die Echtzeit-Datenverarbeitung für Edge-Geräte.
RECHENZENTRUM
Unsere Lösungen bilden das Rückgrat moderner Datenverarbeitung und Zuverlässigkeit bei datenintensiven Vorgängen.
KOMMUNIKATION
Unsere Lösungen gewährleisten zuverlässigen und unterbrechungsfreien Betrieb und unterstützen Netzwerke und kritische Telekommunikationsinfrastrukturen auch bei hoher Auslastung.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | DDR4 ECC UDIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC UDIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.738 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
BESTELLINFORMATIONEN
P/N | IC-Konfiguration | Rang | Temperatur | Beschreibung |
M4C0-4GSSSCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-8GSSTCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-8GS1SCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-AGS1TCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-BGM2TCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP |
M4C0-BGS2TCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
