DDR4
Memoria sin Búfer sin ECC
DDR4 Wide Temp. UDIMM VLP
Características
- Perfil muy bajo, especializado para uso en sistemas 1U
- Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección contra la sulfatación para entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
- Entorno de operación: -40°C ~ 95°C (Tc)
- Dedo de oro de 30μ”
- Cumplimiento RoHS y certificación CE / FCC
Los módulos UDIMM DDR4 de temperatura extendida VLP ofrecen un diseño de perfil bajo y la velocidad de memoria más rápida del sector, con 3200 MT/s, ideal para cualquier aplicación industrial e integrada. Cumplen con todos los estándares JEDEC pertinentes, pueden operar a temperaturas de -40 °C a 95 °C (Tc) y están disponibles en capacidades de 8 GB, 16 GB y 32 GB. También hay módulos de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s y 2933 MT/s.
Los módulos DIMM VLP están diseñados para sistemas 1U, como centros de datos con servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 30 mm. Su diseño mejora la circulación del aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de vibración según estándar militar | Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
INDUSTRIAL / EMBEBIDO
Diseñados para entornos exigentes, nuestros productos ofrecen alta durabilidad para satisfacer las demandas de la automatización industrial y los sistemas embebidos.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 Wide Temperature UDIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | UDIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.738 Inches |
| Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4U0-8GSSW5EM | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature UDIMM VLP |
M4U0-8GS1V5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature UDIMM VLP |
M4U0-AGS1W5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature UDIMM VLP |
M4U0-AGM1W5EM | 1G x 8 | R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature UDIMM VLP |
M4U0-BGS2W5EM | G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature UDIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
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