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DDR4 UDIMM VLP

DDR4

Memoria sin Búfer sin ECC

DDR4 UDIMM VLP

Características

  • Perfil muy bajo, especializado para uso en sistemas 1U
  • Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
  • Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
  • Protección contra la sulfatación para entornos hostiles
  • Estándar JEDEC 1.2V (1.26V ~ 1.14V)
  • Entorno de operación: 0°C ~ 95°C (Tc)
  • Cumplimiento RoHS
  • Certificación CE / FCC
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

Los módulos DDR4 UDIMM VLP ofrecen un diseño de perfil bajo y la velocidad de memoria más rápida del sector, con 3200 MT/s. Además, son totalmente compatibles con la plataforma Intel® Purely y dispositivos 1U. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC pertinentes y están disponibles en capacidades de 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB. También hay módulos de 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s y 2933 MT/s.

Los módulos VLP están diseñados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos con servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 30 mm. El diseño de estos módulos mejora el flujo de aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.

PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN

El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.


  Anti-Sulfuration >  

FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS

Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.

 

Prueba de caída del paqueteAltura de caída de 76 cm, ISTA-1A
Choque térmicode -40 °C a 110 °C, 500 ciclos
Prueba de vibración según estándar militarFrecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA

SIDE FILL

El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO

El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

SERVIDOR EDGE
SERVIDOR EDGE

Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.

CENTRO DE DATOS
CENTRO DE DATOS

Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.

COMUNICACIÓN
COMUNICACIÓN

Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.

ESPECIFICACIONES

Model NameDDR4 UDIMM VLP
DDR GenerationDDR4 Memory
DIMM TypeUDIMM VLP
Speed2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density4GB, 8GB, 16GB, 32GB
FunctionNon-ECC Unbuffered Memory
Pin Number288pin
Bus Widthx64
Voltage1.2V
PCB Height0.738 Inches
Operating Temperature0°C ~ 95°C (Tc)
Anti-SulfurationY

INFORMACIÓN DE P/N

P/N

Configuración IC

Rango

Temp.

Descripción

M4U0-4GSSVCEM

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB UDIMM VLP

M4U0-4GSX8CEM

512M x 16

1R x 16

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB UDIMM VLP

M4U0-8GSSWCEM

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB UDIMM VLP

M4U0-8GS1VCEM

1G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB UDIMM VLP

M4U0-AGS1WCEM

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB UDIMM VLP

M4U0-AGM1WCEM

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB UDIMM VLP

M4U0-BGS2WCEM

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB UDIMM VLP

M4U0-BGM2WCEM

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB UDIMM VLP


*Please contact Innodisk for products with other speeds.

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