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DDR4 SODIMM

DDR4

Memoria sin Búfer sin ECC

DDR4 SODIMM

Características

  • Módulo de memoria de doble línea de pequeño formato (SODIMM)
  • Totalmente probado y optimizado para estabilidad y rendimiento
  • Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
  • Protección contra sulfatación para entornos hostiles
  • Estándar JEDEC 1.2V (1.26V~1.14V)
  • Entorno de operación: 0°C ~ 95°C (Tc)
  • Cumplimiento RoHS
  • Certificación CE / FCC
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

DDR4 SODIMM (pequeño formato) es el módulo de memoria compacto que ofrece la velocidad más rápida de la industria a 3200MT/s. Es la opción perfecta para cualquier configuración embebida, de vigilancia y automatización. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC relevantes y están disponibles en capacidades de 2GB, 4GB, 8GB, 16GB y 32GB. También están disponibles módulos de 2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s y 2933MT/s.

PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN

El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.


   Anti-Sulfuration >  

FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS

Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.

 

Prueba de flexión
Deformación de 1,2 mm, EIAJ-4702
Prueba de inserción y extracción del módulo DRAMhasta 100 ciclos, EIA-364-9
Prueba de caída del paqueteAltura de caída de 76 cm, ISTA-1A
Choque térmicode -40 °C a 110 °C, 500 ciclos
Prueba de vibración según estándar militarFrecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7
Prueba de anti-sulfuración480 horas, ASTM B809-95

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA

SIDE FILL

El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO

El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

INDUSTRIAL / EMBEBIDO
INDUSTRIAL / EMBEBIDO

Diseñados para entornos exigentes, nuestros productos ofrecen alta durabilidad para satisfacer las demandas de la automatización industrial y los sistemas embebidos.

VIGILANCIA Y SEGURIDAD
VIGILANCIA Y SEGURIDAD

Nuestras soluciones ofrecen análisis avanzados y respuesta inmediata para las necesidades de vigilancia modernas.

AUTOMATIZACIÓN
AUTOMATIZACIÓN

Optimizamos la eficiencia de los sistemas automatizados con productos que garantizan una gestión precisa de datos y un rendimiento duradero en entornos industriales.

ESPECIFICACIONES

Model NameDDR4 SODIMM
DDR GenerationDDR4 Memory
DIMM TypeSODIMM
Speed2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB
FunctionNon-ECC Unbuffered Memory
Pin Number260pin
Bus Widthx64
Voltage1.2V
PCB Height1.18 Inches
Operating Temperature0°C ~ 95°C (Tc)
Anti-SulfurationY

INFORMACIÓN DE P/N

P/N

Configuración IC

Rango

Temp.

Descripción

M4S0-2GSVZCEM

256M x 16

1R x 16

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 2GB SODIMM

M4S0-4GSV8CEM

256M x 16

2R x 16

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB SODIMM

M4S0-4GSSNCEM

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB SODIMM

M4S0-4GSXZCEM

512M x 16

1R x 16

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB SODIMM

M4S0-4GMXZCEM

512M x 16

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB SODIMM

M4S0-8GSSOCEM

512M x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB SODIMM

M4S0-8GSX8CEM

512M x 16

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB SODIMM

M4S0-8GS1NCEM

1G x 8

1R x 16

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB SODIMM

M4S0-8GM1NCEM

1G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB SODIMM

M4S0-8GSYZCEM

1G x 16

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB SODIMM

M4S0-AGS1OCEM

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB SODIMM

M4S0-AGM1OCEM

1G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB SODIMM

M4S0-AGSY8CEM

1G x 16

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB SODIMM

M4S0-AGS2NCEM

2G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB SODIMM

M4S0-AGM2NCEM

2G x 8

1R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB SODIMM

M4S0-BGS2OCEM

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB SODIMM

M4S0-BGM2OCEM

2G x 8

2R x 8

0°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB SODIMM


*Please contact Innodisk for products with other speeds.

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