DDR4
Non-ECC 비버퍼 메모리
DDR4 SODIMM
특징
- 소형 듀얼 인라인 메모리 모듈
- 안정성과 성능 최적화를 위한 완벽한 테스트 완료
- 엄격한 산업 표준을 충족하는 정품 IC 사용
- 가혹한 환경에 대한 황산화 방지 기능
- JEDEC 표준 1.2V (1.26V~1.14V)
- 작동 환경: 0°C ~ 95°C (Tc)
- RoHS 준수
- CE/FCC 인증
DDR4 SODIMM(소형 외형)은 업계 최고 속도인 3200MT/s를 제공하는 소형 메모리 모듈입니다. 임베디드 시스템, 보안 감시 시스템, 자동화 시스템에 완벽하게 적합합니다. 이 모듈은 모든 관련 JEDEC 표준을 준수하며 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB 용량으로 제공됩니다. 또한 2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s, 2933MT/s 모듈도 이용 가능합니다.
황산화 방지 보호 층으로 모듈 보호
유황은 여러 산업 분야에 널리 퍼져 있습니다. DRAM 칩의 은 합금이 유황 가스와 만나면 부식 반응이 일어납니다. 이러한 황산화는 전도도를 낮추고 제품의 고장을 빠르게 유발할 수 있습니다. 이를 방지하기 위해, Innodisk는 은 합금을 보호하도록 취약한 부분 위에 보호 레이어를 추가합니다.
제3자 테스트를 통해 입증된 안정성
까다로운 환경에 요구되는 사항을 충족하려면 부품의 내구성과 안정성을 보장하는 것이 필수적입니다. Innodisk의 솔루션은 엄격한 업계 표준을 준수하는 엄격한 타사 테스트를 거칩니다 이러한 테스트를 통해 극한의 환경에서 제품의 견고함을 검증하여 다양한 어플리케이션에서 믿을 수 있는 성능을 보장합니다.
| 벤딩 테스트 | 편향 1.2 mm, EIAJ-4702 |
| DRAM 모듈 삽입 및 추출 테스트 | 최대 100회 주기 |
| 패키지 낙하 테스트 | 낙하 높이 76 cm, ISTA-1A |
| 열 충격 | -40°C ~ 110°C, 500 회 주기 |
| 군용 표준 진동 테스트 | 진동 주파수10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
| 황산화 방지 테스트 | 480시간, ASTM B809-95 |
TAILORED TO YOUR SPECIFIC NEEDS
SIDE FILL
Side Fill reinforces the connection between chips and the board, providing superior protection in environments with high vibration or mechanical stress.
CONFORMAL COATING
Conformal Coating applies a protective acrylic layer over the DRAM PCB, shielding it from harmful elements such as moisture, dust, and corrosive substances.
IMPLEMENTED WITH SUCCESS IN DYNAMIC ENVIRONMENTS
INDUSTRIAL / EMBEDDED
Designed for harsh environments, our products offer high durability to meet the demands of industrial automation and embedded systems.
SURVEILLANCE & SAFETY
Our solutions deliver advanced analytics and instant response for modern surveillance needs.
AUTOMATION
Enhancing efficiency in automated systems, our products provide precise data management and long-lasting performance in industrial applications.
사양
| Model Name | DDR4 SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | SODIMM |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| Anti-Sulfuration | Y |
주문 정보
제품 번호 | IC 구성 (IC Config.) | 랭크 (Rank) | 온도 범위 | 설명 |
M4S0-2GSVZCEM | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 2GB SODIMM |
M4S0-4GSV8CEM | 256M x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-4GSSNCEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-4GSXZCEM | 512M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-4GMXZCEM | 512M x 16 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM |
M4S0-8GSSOCEM | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GSX8CEM | 512M x 16 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GS1NCEM | 1G x 8 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GM1NCEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-8GSYZCEM | 1G x 16 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM |
M4S0-AGS1OCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGM1OCEM | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGSY8CEM | 1G x 16 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGS2NCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-AGM2NCEM | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB SODIMM |
M4S0-BGS2OCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB SODIMM |
M4S0-BGM2OCEM | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB SODIMM |
*다른 속도의 제품에 대해서는 이노디스크에 문의하십시오.
