DDR4
Memoria sin Búfer sin ECC
DDR4 SODIMM VLP
Características
- Módulo de memoria dual en línea de diseño compacto
- Perfil muy bajo, diseñado para sistemas 1U
- Completamente probado y optimizado para garantizar estabilidad y rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con los estrictos estándares industriales
- Protección contra la sulfuración en entornos hostiles
- Estándar JEDEC 1,2 V (1,26 V ~ 1,14 V)
- Entorno operativo: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
- Cumplimiento con RoHS
- Certificación CE/FCC
DDR4 SODIMM VLP ofrece un diseño compacto y de perfil muy bajo, así como la velocidad de memoria más rápida de la industria con 3200MT/s, y es totalmente compatible con la plataforma Intel® Purley y dispositivos 1U. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC relevantes y están disponibles en capacidades de 4GB y 8GB. También están disponibles módulos de 2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s y 2933MT/s.
Los módulos VLP están especializados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos de servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 1.18 pulgadas. El diseño de estos módulos mejora el flujo de aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de vibración según estándar militar | Frecuencia de vibración 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
COMUNICACIÓN
Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 SODIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | SODIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.7 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4S0-4GSS3CEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB SODIMM VLP |
M4S0-8GS13CEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB SODIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
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