
SDカード & MicroSDカード
4GB ~ 8GB
MicroSDカード 3SE3
特徴
- SD 3.0インターフェース
- 高性能
- 電源断管理
- ECCアルゴリズム実装
卓越したパフォーマンスを目指した設計
Innodisk MicroSD 3SE3シリーズは、Class 10およびUHS-Iに対応しています (8GBを除く)、産業用PCや組み込み用途に特化して設計された製品です。3.0シリーズのSDカードは最新のファームウェアアーキテクチャとフラッシュアルゴリズムを備え、優れたウェアレベリングおよびリードディスターブ管理により最高の信頼性と耐久性を実現しています。
Innodisk MicroSD 3SE3シリーズは4GBから8GBまでの幅広い容量を持ち、優れた品質のSLC NANDフラッシュを採用し、SD 3.0およびSD 2.0仕様に完全準拠しています。
低消費電力と上述の特徴により、Innodisk MicroSD 3SE3シリーズは産業用自動化、SBC(シングルボードコンピュータ)、医療機器、インフォテインメント、モバイル用途に適応可能です。
ウェアレベリングテクノロジー - 製品の寿命を延長
Innodiskは革新的なウェアレベリングテクノロジーを採用してSSDのストレージ手法を一変させ、寿命を改善します。このテクノロジーをダイナミックストレージブロックと固定ストレージブロックの両方へ適用することで、従来のホットゾーンとコールドゾーンの障害を解消し、全領域でウェアバランスを実現して、すべてのフラッシュメモリブロックの使用を最適化します。

変化の激しい環境へ導入し、成功
仕様
| Model Name | MicroSD 3SE3 |
|---|---|
| Flash Type | SLC |
| Interface | SD 3.0 |
| Form Factor | MicroSD Card |
| Capacity | 4GB ~ 8GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 30 / 23 |
| P/E Cycle | 60,000 |
| TBW (Max.) | 21 |
| Storage Temperature | -55°C ~ 95°C |
| Max. Power Consumption | 1.3W |
| Max. Channels | 1 |
| External DRAM Buffer | N |
| Features | S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 11.0 x 15.0 x 1.0 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 5 Years |
注文情報
動作温度 | 拡張温度 (-25°C ~ 85°C) | 産業用温度 (-40°C ~ 85°C) |
4GB | DESDM-04GS02AE1ST | DESDM-04GS02AW1ST |
8GB | DESDM-08GS02AE1ST | DESDM-08GS02AW1ST |






