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DDR3 UDIMM VLP

DDR3

Memoria sin Búfer sin ECC

DDR3 UDIMM VLP

Características

  • Perfil muy bajo, especializado para su uso en sistemas 1U
  • Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
  • Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
  • Estándar JEDEC: 1.5V (1.425V ~ 1.575V) y 1.35V (1.28V ~ 1.45V)
  • Entorno de funcionamiento: 0 °C ~ 85 °C
  • Cumplimiento con RoHS
  • Certificación CE / FCC
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

El módulo de memoria DDR3 UDIMM VLP ofrece un diseño de perfil muy bajo y es totalmente compatible con aplicaciones de servidor 1U y otros dispositivos de pequeña escala. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC pertinentes y están disponibles en capacidades de 2 GB, 4 GB y 8 GB, con velocidades de transferencia de datos de 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s y 1866 MT/s.

Los módulos VLP están diseñados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos con servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 30 mm. El diseño de estos módulos mejora la ventilación dentro del sistema y reduce el impacto térmico.

FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS

Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.

 

Prueba de caída del paquete
Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A
Choque térmico
de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos

ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA

SIDE FILL

El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.

BARNIZADO

El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

COMUNICACIÓN
COMUNICACIÓN

Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.

ESPECIFICACIONES

Model NameDDR3 UDIMM VLP
DDR GenerationDDR3 Memory
DIMM TypeUDIMM VLP
Speed1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Density2GB, 4GB, 8GB
FunctionNon-ECC Unbuffered Memory
Pin Number240pin
Bus Widthx64
Voltage1.35V, 1.5V
PCB Height0.738 Inches
Operating Temperature0°C ~ 85°C

INFORMACIÓN DE P/N

P/N

Configuración IC

Rango

Temp.

Descripción

M3U0-2GMJNCQE

256M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 2GB UDIMM VLP

M3U0-4GMSNCQE

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3 1866 2GB UDIMM VLP

M3U0-2GMJNLQE

256M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3L 1600 4GB UDIMM VLP

M3U0-4GMSNLQE

512M x 8

1R x 8

0°C ~ 85°C

DDR3L 1600 4GB UDIMM VLP


*Please contact Innodisk for products with other speeds.

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