DDR3
Memoria sin Búfer sin ECC
DDR3 UDIMM
Características
- Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Estándar JEDEC: 1.5V (1.425V ~ 1.575V) y 1.35V (1.28V ~ 1.45V)
- Entorno de funcionamiento: 0 °C ~ 85 °C
- Cumplimiento con RoHS
- Certificación CE / FCC
DDR3 UDIMM es un módulo de memoria industrial que ofrece un rendimiento duradero y está diseñado para los mercados de vigilancia, automatización e integración. Los módulos cumplen con todos los estándares JEDEC pertinentes y están disponibles en capacidades de 2 GB, 4 GB y 8 GB, con velocidades de transferencia de datos de 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s y 1866 MT/s.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de inserción y extracción del módulo DRAM | hasta 100 ciclos, EIA-364-9 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
INDUSTRIAL / EMBEBIDO
Diseñados para entornos exigentes, nuestros productos ofrecen alta durabilidad para satisfacer las demandas de la automatización industrial y los sistemas embebidos.
VIGILANCIA Y SEGURIDAD
Nuestras soluciones ofrecen análisis avanzados y respuesta inmediata para las necesidades de vigilancia modernas.
AUTOMATIZACIÓN
Optimizamos la eficiencia de los sistemas automatizados con productos que garantizan una gestión precisa de datos y un rendimiento duradero en entornos industriales.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR3 UDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory |
| DIMM Type | UDIMM |
| Speed | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 240pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.35V, 1.5V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M3U0-2GMJBCQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB UDIMM |
M3U0-2GMVHCQE | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB UDIMM |
M3U0-4GMJACQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB UDIMM |
M3U0-4GMSBCQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB UDIMM |
M3U0-8GMSACQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 8GB UDIMM |
M3U0-2GMJBLQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB UDIMM |
M3U0-2GMVHLQE | 256M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB UDIMM |
M3U0-4GMJALQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB UDIMM |
M3U0-4GMSBLQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB UDIMM |
M3U0-8GMSALQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB UDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
