DDR5
エッジAIとジェネレーティブAIアプリケーションを強化
DDR5 7200 RDIMM
特徵
- クロック、コマンド、制御信号の強化を目的として登録済み
- 最大64GBの容量で7200MT/sの優れたデータ転送速度を実現
- 過渡電圧サプレッサ（TVS）ダイオードとeFuseを搭載し、モジュールの完全性と信頼性を確保
- AIやエッジコンピューティングにおけるデータ集約型アプリケーション向けに徹底的にテスト・最適化
- 動作環境：0°C～95°C（Tc）
- 30μインチの金端子により耐久性を確保し、過酷な環境下でも耐硫化シールドを実現
DDR5 7200シリーズは、7200 MT/sという驚異的なデータ転送速度と、最大64GBまで拡張された容量により、卓越したパフォーマンスを実現します。この次世代メモリソリューションは、CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM、RDIMMなど、複数のフォームファクタで提供され、高度なCKDテクノロジーにより信号整合性が向上し、電圧変動に対するTVS保護機能も備えています。前世代製品と比較して12.5%の速度向上を実現し、LLM、生成AI、エッジコンピューティングなどのデータ集約型タスクに最適化されています。
業界最高クラスの6400MT/sと最大64GBの容量
6400MT/sのデータ転送で最高のスピードを提供し、旧世代よりも性能を14%高めています。DDR5 6400シリーズはモジュールごとの容量を最大64GBと倍増しており、エッジAIやデータ多用型のアプリケーションでの厳しい要件を満足させます。
TVSダイオードで電圧変動を防止
異常な過電圧が生んだ過電流を吸収してアースへ放電することで、過渡電圧サプレッサー（TVS）ダイオードはDRAMコンポーネントを静電気や電力変動などの突発電圧から保護し、DRAMモジュールを過電圧とESDから守ります。
eFuseによる強化されたモジュール保護
過電圧により eFuse の負荷が超過すると、eFuse は回路を遮断し、DRAM モジュール コンポーネントを損傷から保護します。
最新プラットフォームとの互換性を備えた多彩なフォームファクタ
CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM、RDIMMなど取り揃えており、容量は8GB～64GBをラインナップしています。最新のIntelとAMDプロセッサーと完全互換性を保っており、多彩な実装ニーズに向けた柔軟なソリューションに仕上がっています。
変化の激しい環境へ導入し、成功
画像識別
高速データ処理により、リアルタイムの画像処理と認識効率が向上します。
大規模言語モデル（LLM）
複雑な自然言語タスクのより高速なトレーニングと推論をサポートします。
デジタルツイン
現実世界のオブジェクトの正確かつ高速なシミュレーションを実現します。
テレヘルス
正確な診断とシームレスな遠隔手術を可能にします。
仕様
| Model Name | DDR5 7200 RDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR5 Memory |
| DIMM Type | RDIMM |
| Speed | 7200 MT/s |
| Density | 16GB, 24GB, 32GB, 48GB, 64GB |
| Function | Registered Memory with ECC |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x80 |
| Voltage | 1.1V |
| PCB Height | 1.23 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
注文情報
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