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DDR5 7200 RDIMM

DDR5

Edge AI 및 생성 AI 애플리케이션 강화

DDR5 7200 RDIMM

특징

  • 클록, 명령 및 제어 신호 향상을 위해 등록됨
  • 최대 64GB 용량으로 7200MT/s의 탁월한 데이터 전송 속도 제공
  • 과도 전압 억제기(TVS) 다이오드와 eFuse를 추가하여 모듈의 무결성과 신뢰성 보장
  • AI 및 엣지 컴퓨팅 분야의 데이터 집약적 애플리케이션에 맞춰 완벽하게 테스트 및 최적화
  • 작동 환경: 0°C ~ 95°C(Tc)
  • 30μ” 골드 핑거는 내구성을 보장하며, 혹독한 환경에서도 황화 방지 차폐 기능을 제공합니다.
     
탁월한 성능으로 출시

DDR5 7200 시리즈는 초고속 7200MT/s 데이터 전송 속도와 확장된 최대 64GB 용량으로 탁월한 성능을 제공합니다. 이 차세대 메모리 솔루션은 CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM, RDIMM 등 다양한 폼 팩터로 제공되며, 향상된 신호 무결성을 위한 첨단 CKD 기술과 전압 변동에 대한 TVS 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이전 세대보다 12.5% ​​향상된 속도를 자랑하는 이 제품은 LLM, 생성적 AI, 엣지 컴퓨팅 등 데이터 집약적인 작업에 최적화되어 있습니다.

업계 최고 속도 7200MT/S, 최대 용량 64GB

7200MT/s의 데이터 전송 속도로 탁월한 속도를 제공하며, 이전 세대 대비 12.5% ​​향상된 성능을 달성했습니다. DDR5 7200 시리즈는 모듈당 최대 용량을 64GB로 두 배로 늘려 엣지 AI 및 데이터 집약적인 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족합니다.
 

TVS 다이오드로 전압 변동 방지

TVS(Transient Voltage Suppressor) 다이오드는 비정상 과전압으로 인해 발생하는 과전류를 흡수하여 접지로 방전함으로써 DRAM 부품에 정전기 및 전력 변동과 같은 우발적인 스파이크가 발생하는 것을 방지하고 DRAM 모듈에 과전압 및 ESD 보호 기능을 제공합니다.
 

eFuse를 통한 향상된 모듈 보호

과전압으로 인해 eFuse가 부하를 초과하면 eFuse가 회로를 차단하여 DRAM 모듈 구성 요소가 손상되지 않도록 보호합니다.
 

최신 플랫폼 호환성을 갖춘 다양한 폼 팩터

CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM, RDIMM 등 다양한 구성으로 제공되며, 8GB부터 64GB까지 다양한 용량 옵션을 제공합니다. 최신 Intel 및 AMD 프로세서와 완벽하게 호환되어 다양한 구현 요구 사항에 맞는 유연한 솔루션을 제공합니다.
 

동적 환경에서 성공적으로 실행하기

이미지 식별
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고속 데이터 처리로 실시간 이미지 처리 및 인식 효율성을 향상시킵니다.

대규모 언어 모델(LLM)
대규모 언어 모델(LLM)

복잡한 자연어 작업에 대한 빠른 학습 및 추론을 지원합니다.

디지털 트윈
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실제 물체의 정확한 고속 시뮬레이션을 지원합니다.

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원격 의료
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정밀한 진단과 원활한 원격 수술이 가능합니다.

사양

Model NameDDR5 7200 RDIMM
DDR GenerationDDR5 Memory
DIMM TypeRDIMM
Speed7200 MT/s
Density16GB, 24GB, 32GB, 48GB, 64GB
FunctionRegistered Memory with ECC
Pin Number288pin
Bus Widthx80
Voltage1.1V
PCB Height1.23 Inches
Operating Temperature0°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold FingerY
Anti-SulfurationY

주문 정보

*자세한 내용은 Innodisk에 문의하세요.

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