
SD-Karte & MicroSD-Karte
Ultra iSLC-Lösung
MicroSD-Karte 3IE4
Merkmale
- SD 3,0 Schnittstelle
- Unterstützt Klasse 10 mit UHS-I
- Verwendet TLC NAND Flash
- Hohe Leistung
- Für mobile und stationäre Anwendungen
- S.M.A.R.T.-Funktion unterstützt
Die Innodisk MicroSD-Karte 3IE4 Serie unterstützt Klasse 10 mit UHS-I und ist speziell für Industrie-PCs und eingebettete Anwendungen entwickelt. Die SD-Karte der Serie 3,0 verfügt über die neueste Firmware-Architektur und Flash-Algorithmen, darunter überlegenes Wear-Leveling und Read-Disturb-Management, für höchste Zuverlässigkeit und Haltbarkeit.
Innodisk MicroSD-Karte 3IE4 bietet Kapazitäten von 8 GB bis 128 GB mit hochwertigem TLC NAND Flash und vollständig kompatibel mit SD 3,0 und SD 2,0.
Dank niedrigem Stromverbrauch und den genannten Funktionen eignet sich die MicroSD-Karte 3IE4 für industrielle Automatisierung, Einplatinencomputer, medizinische Geräte, Infotainment und mobile Anwendungen.
100K P/E-ZYKLUS, 33-FACHE LEBENSDAUER
Die MicroSD-Karte 3IE4 ist mit einem BiCS5 112-Layer-3D TLC NAND-Flash ausgestattet und verwendet Innodisks exklusive Ultra iSLC-Technologie, wodurch ein industrieweit führender 100K P/E-Zyklus erreicht wird. Mit dieser Weiterentwicklung verlängert sich die Lebensdauer des Geräts im Vergleich zu herkömmlichem 3D TLC NAND-Flash um das 33-fache.

Wear-Levelling-Technologie – VERLÄNGERUNG DER PRODUKTLEBENSDAUER
Innodisk setzt die innovative Wear-Levelling-Technologie ein, um die Speicherverfahren für SSDs zu revolutionieren und damit deren Lebensdauer zu verlängern. Durch Anwendung dieser Technologie auf dynamische und statische Speicherblöcke werden die bislang verwendeten Konzepte von „heißen“ und „kalten“ Zonen im Speicher eliminiert. Alle Zonen des Speichers werden systematisch und in einem ausgewogenen Verhältnis genutzt und alle Blöcke des Flash-Speichers kommen optimal zum Einsatz.

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
SPEZIFIKATIONEN
Model Name | MicroSD Card 3IE4 |
---|---|
Flash Type | iSLC (3D TLC) |
Interface | SD 3.0, SD 6.1 |
Form Factor | MicroSD Card |
Capacity | 8GB ~ 128GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 90 / 80 |
P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
TBW (Max.) | 11,360 |
Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
Max. Power Consumption | 0.7W |
Max. Channels | 1 |
External DRAM Buffer | N |
Features | S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 11.0 x 15.0 x 1.0 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
BESTELLINFORMATIONEN
Betriebstemperatur | Erweiterte Note (-25°C ~ 85°C) | Industriequalität (-40°C ~ 85°C) |
8GB | DHSDM-08GS06EE1SL | DHSDM-08GS06EW1SL |
16GB | DHSDM-16GS06%E1SL | DHSDM-16GS06%W1SL |
32GB | DHSDM-32GS06%E1SL | DHSDM-32GS06%W1SL |
64GB | DHSDM-64GS06%E1SL | DHSDM-64GS06%W1SL |
128GB | DHSDM-A28S06%E1SL | DHSDM-A28S06%W1SL |
%. G : 96 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
8GB is only supported by 64 layers 3D TLC