MicroSD-Karte 3IE2

Merkmale

SD 3,0 Schnittstelle
Unterstützt Klasse 10 mit UHS-I
Verwendet MLC NAND Flash
Hohe Leistung
Für mobile und stationäre Anwendungen
S.M.A.R.T.-Funktion unterstützt

FÜR HÖCHSTE LEISTUNG ENTWICKELT

Die Innodisk MicroSD-Karte 3IE2 Serie unterstützt Klasse 10 mit UHS-I und ist speziell für Industrie-PCs und eingebettete Anwendungen entwickelt. Die SD-Karte der Serie 3,0 verfügt über die neueste Firmware-Architektur und Flash-Algorithmen, darunter überlegenes Wear-Leveling und Read-Disturb-Management, für höchste Zuverlässigkeit und Haltbarkeit.

Dank niedrigem Stromverbrauch und den genannten Funktionen eignet sich die MicroSD-Karte 3IE2 für industrielle Automatisierung, Einplatinencomputer, medizinische Geräte, Infotainment und mobile Anwendungen.

Wear-Levelling-Technologie – VERLÄNGERUNG DER PRODUKTLEBENSDAUER

Innodisk setzt die innovative Wear-Levelling-Technologie ein, um die Speicherverfahren für SSDs zu revolutionieren und damit deren Lebensdauer zu verlängern. Durch Anwendung dieser Technologie auf dynamische und statische Speicherblöcke werden die bislang verwendeten Konzepte von „heißen“ und „kalten“ Zonen im Speicher eliminiert. Alle Zonen des Speichers werden systematisch und in einem ausgewogenen Verhältnis genutzt und alle Blöcke des Flash-Speichers kommen optimal zum Einsatz.

Wear Leveling >

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT

TRANSPORT

Unsere Lösungen verbessern Betrieb, Management und Sicherheit bei Elektrofahrzeugen, Bussen, U-Bahnen und anderen Fahrzeugen.

INDUSTRIE / EMBEDDED

Unsere Produkte sind für raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine hohe Lebensdauer, um den Anforderungen der industriellen Automatisierung und Embedded Systemen gerecht zu werden.

AUTOMATISIERUNG

Unsere Produkte verbessern die Effizienz in automatisierten Systemen. Sie bieten ein präzises Datenmanagement und einen nachhaltigen, dauerhaften Betrieb in Industrieanwendungen.

SPEZIFIKATIONEN

Model Name	MicroSD 3IE2
Flash Type	iSLC (MLC)
Interface	SD 3.0
Form Factor	MicroSD Card
Capacity	4GB ~ 32GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)	86 / 45
P/E Cycle	20,000
TBW (Max.)	522
Storage Temperature	-55°C ~ 95°C
Max. Power Consumption	0.6W
Max. Channels	1
External DRAM Buffer	N
Features	S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)	11.0 x 15.0 x 1.0
Vibration	20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock	[email protected]
MTBF	>3 million hours
Warranty	5 Years