DDR3
Non-ECC Unbuffered Speicher
DDR3 SODIMM
Merkmale
- Small Outline Dual In-Line-Speichermodul (SODIMM)
- Vollständig getestet und für Stabilität und Leistung optimiert
- Verwendet Original-ICs, um strenge Industriestandards zu erfüllen
- JEDEC-Standard 1,5V (1,425V ~ 1,575V) & 1,35V (1,28V ~ 1,45V)
- Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C
- RoHS-Konformität
- CE / FCC-Zertifizierung
DDR3 SODIMM-Speicher (Small Outline) ist ein kompaktes Speichermodul nach Industriestandard, das sich nahtlos in jede Embedded-, Überwachungs- und Automatisierungslösung einfügt. DDR3 SODIMM-Speicher entsprechen allen relevanten JEDEC-Standards und sind in Kapazitäten von 1GB, 2GB, 4GB und 8GB sowie mit Datenübertragungsraten von 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s und 1866MT/s erhältlich.
GEPRÜFTE ZUVERLÄSSIGKEIT DURCH TEST VON DRITTANBIETERN
Die Gewährleistung von Robustheit und Langlebigkeit der Komponenten ist für einen problemlosen Betrieb unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen unerlässlich. Unsere Lösungen durchlaufen harte Tests durch unabhängige Stellen, bei denen strenge Industriestandards eingehalten werden. Diese Tests bestätigen die Robustheit unserer Produkte unter extremen Bedingungen, damit sich die Kunden bei den verschiedensten Anwendungen auf deren Leistung verlassen können.
| Verpackungs -Falltest | Fallhöhe 76 cm, ISTA-1A |
| Thermoschock | -40°C ~ 110°C, 500 Zyklen |
| Einbau/Ausbauprüfung für DRAM-Modul | 100 Zyklen, EIA-364-9 |
TAILORED TO YOUR SPECIFIC NEEDS
SIDE FILL
Die Side Fill-Technologie verstärkt die Verbindung zwischen den Chips und der Platine und gewährleistet so einen hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hoher Vibration oder mechanischer Beanspruchung.
KONFORME BESCHICHTUNG
Bei der konformen Beschichtung erhält die DRAM PCB eine Acrylschutzschicht, die sie vor einer Beschädigung durch Feuchte, Staub und korrosive Substanzen schützt.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
Ensuring Safety Through Customized Solution for MRI Machines and NMR Equipment
Anti-magnetic components are required if systems or devices are placed directly in the magnetic field present near MRI and NMR equipment.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | DDR3 SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory |
| DIMM Type | SODIMM |
| Speed | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Density | 1GB, 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 204pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.35V, 1.5V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
BESTELLINFORMATIONEN
P/N | IC-Konfiguration | Rang | Temperatur | Beschreibung |
M3S0-1GMWFCQE | 128M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 1GB SODIMM |
M3S0-2GMJCCQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB SODIMM |
M3S0-2GMVFCQE | 256M x 16 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB SODIMM |
M3S0-4GMV0CQE | 256M x 16 | 2R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB SODIMM |
M3S0-4GMJDCQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB SODIMM |
M3S0-4GMSCCQE | 512M x 8 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB SODIMM |
M3S0-8GMSDCQE | 512M x 8 | 2R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 8GB SODIMM |
M3S0-1GMWFLQE | 128M x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 1GB SODIMM |
M3S0-2GMJCLQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB SODIMM |
M3S0-2GMVFLQE | 256M x 16 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 2GB SODIMM |
M3S0-4GMJDLQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB SODIMM |
M3S0-4GMV0LQE | 256M x 16 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB SODIMM |
M3S0-4GMSCLQE | 512M x 8 | 1Rx 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB SODIMM |
M3S0-8GMSDLQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB SODIMM |
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