DDR3
ECC Unbuffered Speicher
DDR3 ECC UDIMM
Merkmale
- ECC-DIMM mit Fehlerkorrektur- und -erkennungsfunktionen
- Umfassend getestet und optimiert für Stabilität und Leistung
- Verwendet Original-ICs zur Einhaltung strenger Industriestandards
- JEDEC-Standard 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V) & 1,35 V (1,28 V ~ 1,45 V)
- Betriebsumgebung: 0 °C ~ 85 °C
- 30μ” Gold-Finger
- RoHS-Konformität
- CE / FCC-Zertifizierung
DDR3 ECC UDIMM ist ein industrielles Speichermodul mit dauerhafter Leistung für den Server- und Netzwerkmarkt. Die Module sind mit 30-μ-Goldkontakten ausgestattet und verfügen über eine Einzelbit-Fehlerkorrektur. Verfügbar sind Speicherkapazitäten von 2 GB, 4 GB und 8 GB sowie Datenübertragungsraten von 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s und 1866 MT/s.
Die ECC-Funktion erkennt und korrigiert Einzelbitfehler, die bei der Datenspeicherung und -übertragung auftreten. ECC-Module nutzen Hamming-Code oder dreifache modulare Redundanz zur Fehlererkennung und -korrektur und führen Fehlerkorrekturen selbstständig durch, ohne dass die Datenquelle die Originaldaten erneut senden muss.
GEPRÜFTE ZUVERLÄSSIGKEIT DURCH TEST VON DRITTANBIETERN
Die Gewährleistung von Robustheit und Langlebigkeit der Komponenten ist für einen problemlosen Betrieb unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen unerlässlich. Unsere Lösungen durchlaufen harte Tests durch unabhängige Stellen, bei denen strenge Industriestandards eingehalten werden. Diese Tests bestätigen die Robustheit unserer Produkte unter extremen Bedingungen, damit sich die Kunden bei den verschiedensten Anwendungen auf deren Leistung verlassen können.
| Verpackungs -Falltest | Fallhöhe 76 cm, ISTA-1A |
| Thermoschock | -40°C ~ 110°C, 500 Zyklen |
| Einbau/Ausbauprüfung für DRAM-Modul | 100 Zyklen, EIA-364-9 |
AUF IHRE SPEZIFISCHEN ANFORDERUNGEN ZUGESCHNITTEN
SIDE FILL
Die Side Fill-Technologie verstärkt die Verbindung zwischen den Chips und der Platine und gewährleistet so einen hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hoher Vibration oder mechanischer Beanspruchung.
KONFORME BESCHICHTUNG
Bei der konformen Beschichtung erhält die DRAM PCB eine Acrylschutzschicht, die sie vor einer Beschädigung durch Feuchte, Staub und korrosive Substanzen schützt.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
EDGE-SERVER
Unsere für Edge-Computing konzipierten Produkte gewährleisten eine stabile Leistung unter rauen Bedingungen und unterstützen die Echtzeit-Datenverarbeitung für Edge-Geräte.
RECHENZENTRUM
Unsere Lösungen bilden das Rückgrat moderner Datenverarbeitung und Zuverlässigkeit bei datenintensiven Vorgängen.
KOMMUNIKATION
Unsere Lösungen gewährleisten zuverlässigen und unterbrechungsfreien Betrieb und unterstützen Netzwerke und kritische Telekommunikationsinfrastrukturen auch bei hoher Auslastung.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | DDR3 ECC UDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory |
| DIMM Type | ECC UDIMM |
| Speed | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 240pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.35V, 1.5V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
| 30μ” Gold Finger | Y |
BESTELLINFORMATIONEN
P/N | IC-Konfiguration | Rang | Temperatur | Beschreibung |
M3C0-2GMJ1CQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMJ3CQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMS1CQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-8GMS3CQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-2GMJ1LQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMJ3LQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMS1LQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB ECC UDIMM |
M3C0-8GMS3LQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB ECC UDIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
