DDR3
Memoria sin Búfer con ECC
DDR3 ECC UDIMM
Características
- El módulo ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para la estabilidad y el rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Estándar JEDEC: 1.5V (1.425V ~ 1.575V) y 1.35V (1.28V ~ 1.45V)
- Entorno de funcionamiento: 0 °C ~ 85 °C
- Contactos con recubrimiento de oro de 30 μ"
- Cumplimiento con RoHS
- Certificación CE / FCC
DDR3 ECC UDIMM es un módulo de memoria industrial que ofrece un rendimiento duradero y está diseñado para los mercados de servidores y redes. Los módulos incorporan Gold Fingers de 30 μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit. Están disponibles en capacidades de 2 GB, 4 GB y 8 GB, así como en velocidades de transferencia de datos de 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s y 1866 MT/s.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que se producen durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el Código de Hamming o la Triple Redundancia Modular para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de forma autónoma, sin necesidad de que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Prueba de caída del paquete | Altura de caída de 76 cm, ISTA-1A |
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de inserción y extracción del módulo DRAM | hasta 100 ciclos |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
SERVIDOR EDGE
Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.
CENTRO DE DATOS
Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.
COMUNICACIÓN
Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR3 ECC UDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR3 Memory |
| DIMM Type | ECC UDIMM |
| Speed | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| Density | 2GB, 4GB, 8GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 240pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.35V, 1.5V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
| 30μ” Gold Finger | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M3C0-2GMJ1CQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMJ3CQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 2GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMS1CQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-8GMS3CQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-2GMJ1LQE | 256M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMJ3LQE | 256M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB ECC UDIMM |
M3C0-4GMS1LQE | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB ECC UDIMM |
M3C0-8GMS3LQE | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB ECC UDIMM |
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