EDSFF
データセンター向け PCIe Gen5 ソリューション
E1.S 5TS-P
特徴
- 読み取り最大14GB/s、書き込み最大10GB/sの優れたパフォーマンス
- 単一のE1.Sドライブで最大7.68TBの高ストレージ密度
- 1DWPDの耐久性および5年間の保証で長期信頼性を実現
- PLP（iCell）テクノロジー – データ保護（オプション）
InnodiskのPCIe Gen5 SSDは、次世代のデータ集約型アプリケーション向けに高性能ストレージを再定義します。PCIe Gen 5 x4インターフェースとNVMe 2.0プロトコルを採用し、最大14GB/sの読み取り速度と10GB/sの書き込み速度を誇り、過酷な環境に最適です。エラー訂正コード（ECC）技術を搭載し、包括的なエンドツーエンドのデータパス保護 (ETEP) によりホストシステムとNANDフラッシュ間の安全なデータ伝送を実現します。
エンタープライズの信頼性を追求したE1.S 5TS-Pは、1DWPD耐久性、高度なセキュリティ機能、幅広い互換性を備え、強固なデータ保護とシームレスなシステム統合を保証します
信頼性の高い24時間365日稼働を実現する強化サーマル設計
E1.S 5TS-Pは、データセンター、エンタープライズアプリケーション、その他要求の厳しいワークロードにおいて効率的な放熱と持続的な高速動作を可能にする設計が施されています。その15mmの非対称ヒートシンク設計により、エアフローと冷却効率が最適化され、熱蓄積を抑制し安定した性能を確保します。
さらに、動作温度範囲は0℃～70℃¹で、サーマルスロットリングを搭載し、過熱を防ぎ24時間365日の連続稼働においても一貫した動作を維持します。
1. 動作温度はS.M.A.R.T.から取得された温度に基づきます。
OCPおよびVMware要件に準拠して設計
E1.S 5TS-Pは、OCP Datacenter NVMe SSD Specification v2.0を正式にサポートし、OCP Inspired™認証を取得しています。また、VMwareの互換性基準に沿って設計されており、業界をリードするデータセンターインフラへのシームレスな統合を可能にします。これにより、次世代のエンタープライズおよびクラウド環境に求められる高性能、高信頼性の要件を満たしています。
ADVANCED DATA SECURITY & ENCRYPTION
E1.S 5TS-Pは機密情報を保護するために複数のセキュリティ対策を統合しています
- 自己暗号化ドライブ（SED）対応
- セキュアイレースおよび署名済みファームウェア保護
- 不正アクセス防止のためのセキュアブート
- AES 256ビット暗号化およびTCG Opal 2.0準拠による強化されたセキュリティ管理
これらの機能により、データの不正改ざんや漏洩に対して包括的な保護を提供します。
iCellテクノロジー – 停電保護
InnodiskのiCellテクノロジーは、不慮の停電時にDRAMベースのSSDでミッションクリティカルなデータを安全に保護します。内蔵のiCellが瞬間的な充電を行ってデータを安全に保存し、データ損失を防いで整合性を保ちます。
大規模SSD展開のための高度な管理機能
Innodiskはメンテナンスの効率化と運用の最適化のために包括的な管理機能を提供しています。主な機能には以下が含まれます。
- SSDイベントログと自己モニタリングによる予防保守
- シームレスなアップグレードを可能にするオンラインファームウェアアップデート
- リモートコントロールを実現するアウト・オブ・バンド（OOB）管理
これらの機能により、大規模なSSD展開におけるリアルタイム監視およびトラブルシューティングを可能にし、長期的な安定性とシステムの耐障害性を確保します。
探索多元應用場景與成功實例
TRANSFORMING DATA CENTER WITH EFFICIENCY
The rising trend of edge AI is driving the need for data storage and SSDs that support high-capacity tasks with high performance and low latency.
ビッグデータ分析
高い読み書き速度によって大規模データ処理を加速し、より迅速な洞察と意思決定を可能にします。
AIトレーニング
高帯域幅と低遅延を実現し、ディープラーニングモデルのトレーニングおよび推論作業を強化します。
OLTP（オンライン・トランザクション処理）
リアルタイムのデータベース取引や金融アプリケーションにおいて低遅延かつ高IOPS性能を保証します。
キャッシュティアストレージ
ストレージ層間の高性能バッファとして機能し、データアクセス速度を最適化してシステム全体の効率を高めます。
仕様
| Model Name | E1.S 5TS-P |
|---|---|
| Flash Type | 3D eTLC |
| Interface | PCIe Gen 5 x4 |
| Form Factor | E1.S |
| Capacity | 1.92TB ~ 7.68TB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 14,000 / 10,000 |
| TBW (Max.) | 14,000 (Enterprise Workload) |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 25W |
| Max. Channels | 16 |
| External DRAM Buffer | Ｙ |
| Features | PLP (iCell), AES, TCG Opal 2.0, S.M.A.R.T. |
| Series | Data Center SSD |
| Dimension (W x L x H/mm) | 9.5mm : 33.75 x 118.75 x 9.5 15mm : 33.75 x 118.75 x 15.0 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | 2 million hours |
| Warranty | 5 Years |
注文情報
動作温度 | 標準温度 |
1.92TB | DSE1S-1T9IX&#CAH@P% |
3.84TB | DSE1S-3T8IX&#CAH@P% |
7.68TB | DSE1S-7T6IX&#CAH@P% |
Operating temperature based on temperature obtained from S.M.A.R.T.
& : 1 = Standard / 2 = TCG Opal
# : Flash mode
@ : F = Kioxia / H = Micron
% : H = 9.5mm enclosure / H1 = 15mm enclosure
E1.S 5TS-P specifications are subject to change.
