M.2
Soluciones iSLC Ultra
M.2 (S80) 3IE7
Características
- Hasta 100.000 ciclos P/E, extendiendo la vida útil hasta 33 veces
- Utiliza la tecnología Ultra iSLC
- Equipado con memoria NAND Flash TLC 3D de 112 capas
- Soporta temperaturas de -40°C a 85°C
- 5 años de garantía y compromiso de longevidad
El Innodisk M.2 (S80) 3IE7 es una unidad flash basada en SATA III 6.0 Gb/s diseñada para aplicaciones industriales. Impulsada por la exclusiva tecnología Ultra iSLC, extiende la vida útil del almacenamiento hasta 100 000 ciclos P/E. Esta unidad admite funciones esenciales como sensor térmico, TRIM, NCQ y S.M.A.R.T., y cuenta con firmware de grado industrial exclusivo de Innodisk, ofreciendo opciones de personalización flexibles. Esto la convierte en una opción ideal para una amplia variedad de entornos industriales.
CICLO DE P/E DE 100.000, MAYOR VIDA ÚTIL (33x)
La M.2 (S80) 3IE7, equipada con 3D TLC NAND Flash BiCS5 de 112 capas y la tecnología exclusiva Ultra iSLC de Innodisk, alcanza un ciclo de programación/borrado (P/E) líder en la industria de 100 000. Este avance prolonga la vida útil del dispositivo hasta 33 veces en comparación con la tecnología 3D TLC NAND Flash convencional.
iData Guard: TECNOLOGÍA DE PROTECCIÓN DE DATOS
iData Guard permite el envío inmediato de un comando en caso de un corte repentino del suministro eléctrico, interrumpiendo las operaciones de lectura y escritura del sistema y asegurando la finalización del último comando. Esto preserva la integridad de los datos en el SSD y protege su seguridad.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
EMPOWERING TELECOM NETWORKS: OVERCOMING DATA OVERLOAD WITH iSLC TECHNOLOGY
In today's fast-evolving telecommunications landscape, the demand for intensive network transmissions has reached unprecedented levels. For leading telecommunications service providers, this rapid surge brings a series of intricate challenges that demand immediate attention.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | M.2 (S80) 3IE7 |
|---|---|
| Flash Type | iSLC (3D TLC) |
| Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
| Form Factor | M.2 2280 B+M Key |
| Capacity | 20GB ~ 640GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 560 / 500 |
| P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
| TBW (Max.) | 40,000 |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 1.6W |
| Max. Channels | 4 |
| External DRAM Buffer | N |
| Feature | AES, H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 22.0 x 80.0 x 3.5 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 5 Years |
INFORMACIÓN DE P/N
| Temperatura Operativa | Grado Estándar (0°C ~ 70°C) | Grado Industrial (-40°C ~ 85°C) |
20GB | DHM28-20GDK1EC*DF | DHM28-20GDK1EW*DF |
40GB | DHM28-40GDK1%C*&F | DHM28-40GDK1%W*&F |
80GB | DHM28-80GDK1%C*QF | DHM28-80GDK1%W*QF |
160GB | DHM28-A60DK1%C*QF | DHM28-A60DK1%W*QF |
320GB | DHM28-D2GDK1%CAQF | DHM28-D2GDK1%WAQF |
640GB | DHM28-F4GDK1KCAQF | DHM28-F4GDK1KWAQF |
%. E : 64 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
*. PCB version control
&. S : 1 channel / D : 2 channels / Q : 4 channels
