M.2
Ultra iSLC-Lösung
M.2 (S80) 3IE7
Merkmale
- Bis zu 100.000 P/E-Zyklen, 33-fache Verlängerung der Lebensdauer
- Nutzt Ultra-iSLC-Technologie
- Ausgestattet mit 112-Layer-3D TLC NAND-Flash
- Unterstützt Temperaturen von -40 °C bis 85 °C
- 5 Jahre Garantie und Langzeitverfügbarkeit
Das Innodisk M.2 (S80) 3IE7 ist ein SATA III 6.0 Gb/s Flash-Laufwerk, das für industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Angetrieben von der exklusiven Ultra iSLC-Technologie erreicht es bis zu 100.000 P/E-Zyklen. Das Laufwerk unterstützt wichtige Funktionen wie Temperatursensor, TRIM, NCQ und S.M.A.R.T. und ist mit Innodisks exklusiver Firmware in Industriequalität ausgestattet, die flexible Anpassungsmöglichkeiten bietet. Dies macht es zur idealen Wahl für eine Vielzahl industrieller Umgebungen.
100K P/E-ZYKLUS, 33-FACHE LEBENSDAUER
Der M.2 (S80) 3IE7 ist mit einem BiCS5 112-Layer-3D TLC NAND-Flash ausgestattet und verwendet Innodisks exklusive Ultra iSLC-Technologie, wodurch ein industrieweit führender 100K P/E-Zyklus erreicht wird. Mit dieser Weiterentwicklung verlängert sich die Lebensdauer des Geräts im Vergleich zu herkömmlichem 3D TLC NAND-Flash um das 33-fache.
iData Guard – DATA PROTECTION TECHNOLOGY
iData Guard enables the immediate sending of a command in the event of a sudden power failure, interrupting read and write commands from the system and ensuring that the last command can be completed. This preserves data integrity on the SSD, protecting data security.
IMPLEMENTED WITH SUCCESS IN DYNAMIC ENVIRONMENTS
EMPOWERING TELECOM NETWORKS: OVERCOMING DATA OVERLOAD WITH iSLC TECHNOLOGY
In today's fast-evolving telecommunications landscape, the demand for intensive network transmissions has reached unprecedented levels. For leading telecommunications service providers, this rapid surge brings a series of intricate challenges that demand immediate attention.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | M.2 (S80) 3IE7 |
|---|---|
| Flash Type | iSLC (3D TLC) |
| Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
| Form Factor | M.2 2280 B+M Key |
| Capacity | 20GB ~ 640GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 560 / 500 |
| P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
| TBW (Max.) | 40,000 |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 1.6W |
| Max. Channels | 4 |
| External DRAM Buffer | N |
| Feature | AES, H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 22.0 x 80.0 x 3.5 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 5 Years |
BESTELLINFORMATIONEN
Betriebstemperatur | Standardklasse (0°C ~ 70°C) | Industriequalität (-40°C ~ 85°C) |
20GB | DHM28-20GDK1EC*DF | DHM28-20GDK1EW*DF |
40GB | DHM28-40GDK1%C*&F | DHM28-40GDK1%W*&F |
80GB | DHM28-80GDK1%C*QF | DHM28-80GDK1%W*QF |
160GB | DHM28-A60DK1%C*QF | DHM28-A60DK1%W*QF |
320GB | DHM28-D2GDK1%CAQF | DHM28-D2GDK1%WAQF |
640GB | DHM28-F4GDK1KCAQF | DHM28-F4GDK1KWAQF |
%. E : 64 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
*. PCB version control
&. S : 1 channel / D : 2 channels / Q : 4 channels
