
mSATA
Ultra iSLC-Lösung
mSATA 3IE7
Merkmale
- Bis zu 100.000 P/E-Zyklen, 33-fache Verlängerung der Lebensdauer
- Nutzt Ultra-iSLC-Technologie
- Ausgestattet mit 112-Layer-3D TLC NAND-Flash
- Unterstützt Temperaturen von -40 °C bis 85 °C
- 5 Jahre Garantie und Langzeitverfügbarkeit
Das Innodisk mSATA 3IE7 ist ein SATA III 6.0 Gb/s Flash-Laufwerk, das für industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Angetrieben von der exklusiven Ultra iSLC-Technologie erreicht es bis zu 100.000 P/E-Zyklen.
Das Laufwerk unterstützt wichtige Funktionen wie Temperatursensor, TRIM, NCQ und S.M.A.R.T. und ist mit Innodisks exklusiver Firmware in Industriequalität ausgestattet, die flexible Anpassungsmöglichkeiten bietet. Dies macht es zur idealen Wahl für eine Vielzahl industrieller Umgebungen.
100K P/E-ZYKLUS, 33-FACHE LEBENSDAUER
Der mSATA 3IE7 ist mit einem BiCS5 112-Layer-3D TLC NAND-Flash ausgestattet und verwendet Innodisks exklusive Ultra iSLC-Technologie, wodurch ein industrieweit führender 100K P/E-Zyklus erreicht wird. Mit dieser Weiterentwicklung verlängert sich die Lebensdauer des Geräts im Vergleich zu herkömmlichem 3D TLC NAND-Flash um das 33-fache.

Schreibschutz – SICHERHEIT FÜR DATEN
Mit der bei SSDs von Innodisk integrierten Schreibschutz-Technologie können Anwender eine Nur-Lesen-Funktion aktivieren, die kritische Daten in Flash-Speichergeräten schützt und Änderungen oder eine böswillige Nutzung der Daten verhindert.

iData Guard – DATENSCHUTZTECHNOLOGIE
iData Guard ermöglicht das sofortige Senden eines Befehls im Falle eines plötzlichen Stromausfalls, wobei die Lese- und Schreibbefehle des Systems unterbrochen werden und sichergestellt wird, dass der letzte Befehl ausgeführt werden kann. Auf diese Weise bleibt die Datenintegrität auf der SSD erhalten und die Datensicherheit gewährleistet

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
SPEZIFIKATIONEN
Model Name | mSATA 3IE7 |
---|---|
Flash Type | iSLC (3D TLC) |
Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
Form Factor | MO-300 |
Capacity | 20GB ~ 640GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 560 / 500 |
P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
TBW (Max.) | 40,000 |
Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
Max. Power Consumption | 1.6W |
Max. Channels | 4 |
External DRAM Buffer | N |
Feature | AES, H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 29.85 x 50.8 x 3.7 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
BESTELLINFORMATIONEN
Betriebstemperatur | Standardklasse (0°C ~ 70°C) | Industriequalität (-40°C ~ 85°C) |
20GB | DHMSR-20GDK1EC1DF | DHMSR-20GDK1EW1DF |
40GB | DHMSR-40GDK1%C*&F | DHMSR-40GDK1%W*&F |
80GB | DHMSR-80GDK1%C*QF | DHMSR-80GDK1%W*QF |
160GB | DHMSR-A60DK1%C*QF | DHMSR-A60DK1%W*QF |
320GB | DHMSR-D2GDK1%CAQF | DHMSR-D2GDK1%WAQF |
640GB | DHMSR-F4GDK1%CAQF | DHMSR-F4GDK1%WAQF |
%. E : 64 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
*. PCB version control
&. D : 2 channels / Q : 4 channels