DDR3 XR-DIMM

製品の特徴

Customized Connector Prevents DIMM from Coming Loose under Challenging Conditions
Equipped with 2 Mounting Holes to Ensure a Firm Connection
Single Error Correction and Detection Available
Fully Tested and Optimized for Stability and Performance
Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards
Designed for Aerospace & Mission Critical Applications and Other Harsh Environment Usage
JEDEC Standard 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)
Operating Environment : -40°C ~ 85°C
RoHS Compliance
CE/FCC Certification

* For the XR DIMM, all features can be customized which also requires establishing a new customized project line. We suggest first assessing if the product specifications are in accordance with your needs.

注目技術：

アプリケーション：

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概要:

DDR3 XR-DIMMはInnodiskにて最も堅牢なメモリーモジュールです。ミッションクリティカルなアプリケーション、および過酷な環境に最適です。さらに、ECCと温度拡張( -40°C～85°C) 機能を追加することで、さらなる最適化が可能となります。300ピンのソケットコネクタを使用することで、SFF-SIGによって策定されたピン数よりも多くなり、CPUとDRAMモジュールをより確実に接続します。本シリーズは4GB/8GBの容量、および1600MT/s、1866MT/sのデータ転送レートをご選択いただけます。

ECCモジュールはデータ保存やデータ送信に際するシングルビットエラーを検出して補正するよう設計されています。ECCモジュールはハミングコードや三重冗長化を使用してエラーの検出と補正を行い、データ源へオリジナルのデータ再送を要求することなく、自身でエラー補正を行えます。

仕様：

DDR Generation	DDR3
DIMM Type	XR-DIMM
Speed	1600 MT/s, 1866 MT/s
Density	4GB, 8GB
Function	ECC Unbuffered Memory
Pin Number	300pin
Bus Width	x72
Voltage	1.5V, 1.35V
PCB Height	1.49 Inches
Operating Temperature	-40°C to 85°C
Mounting Hole	2 Mounting Holes

注文情報：

Density	IC configuration	Part Number	Rank	Voltage	Description
4GB	256Mx8	M3XT-4GSJ6L0E-F	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 WT XR-DIMM
4GB	256Mx8	M3XT-4GMJ6L0E-K	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 WT XR-DIMM
8GB	512Mx8	M3XT-8GSS6L0E-E	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 WT XR-DIMM
8GB	512Mx8	M3XT-8GMS6L0E-P	2Rx8	1.5V/1.35V	DDR3 1866 WT XR-DIMM

次世代の組込み・産業用メモリーに向けた先進的な取り組み

DDR3 XR-DIMM

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