
Tarjeta de Disco Embebida
512 MB ~ 8 GB
EDC 1SE Horizontal
Características
- Monitorización de salud del disco con iSMART
- Sistema de recuperación inteligente de errores
- Excelente velocidad de transferencia de datos
- Seguridad con protección anti-escritura
- Gestión avanzada de ciclos de energía
Las EDC 1SE (Tarjeta de Disco Embebida) de Innodisk proporcionan memoria flash sólida de alta capacidad que cumple totalmente con el estándar ATA de la Asociación Internacional de Tarjetas de Memoria para PC. EDC 1SE es un sistema de almacenamiento sólido embebido para aplicaciones industriales, caracterizado por ser extremadamente ligero, fiable y de bajo perfil.
EDC 1SE soporta modos avanzados PIO (0-4), Multiword DMA (0-2), Ultra DMA (0-4), transferencias multibloque y direccionamiento LBA.
Protección Anti-escritura: SEGURIDAD REFORZADA PARA LOS DATOS
Con la tecnología de protección anti-escritura integrada en los SSD de Innodisk, permite a los usuarios activar la función de solo lectura para proteger los datos críticos en dispositivos de almacenamiento flash, evitando modificaciones no autorizadas o usos malintencionados.

Tecnología de Nivelación del Desgaste (Wear Leveling): PROLONGACIÓN DE LA VIDA ÚTIL DEL PRODUCTO
Innodisk incorpora una avanzada tecnología de nivelación del desgaste para optimizar el almacenamiento en SSD y extender su vida útil. Esta tecnología se aplica tanto a bloques de almacenamiento dinámicos como estáticos, eliminando los conceptos tradicionales de zonas calientes y frías. De este modo, se logra un equilibrio uniforme del desgaste en toda la unidad, maximizando la eficiencia y durabilidad de cada bloque de memoria flash.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | EDC 1SE Horizontal |
---|---|
Flash Type | SLC |
Interface | PATA |
Form Factor | Embedded Disk Card |
Capacity | 512MB ~ 8GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 40 / 28 |
P/E Cycle | 60,000 |
TBW (Max.) | -- |
Storage Temperature | -55°C ~ 95°C |
Max. Power Consumption | 0.8V |
Max. Channels | 2 |
External DRAM Buffer | N |
Features | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 48.0 x 32.6 x 7.3 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
INFORMACIÓN DE P/N
Temperatura Operativa | Grado Estándar (0°C ~ 70°C) | Grado Industrial (-40°C ~ 85°C) |
512MB | DE*P%-512D41AC1SB | DE*P%-512D41AW1SB |
1GB | DE*P%-01GD41AC1DB | DE*P%-01GD41AW1DB |
2GB | DE*P%-02GD41AC1DB | DE*P%-02GD41AW1DB |
4GB | DE*P%-04GD41AC1DB | DE*P%-04GD41AW1DB |
8GB | DE*P%-08GD41AC1DB | DE*P%-08GD41AW1DB |
*. 0: 40-pin / 4: 44-pin
%. Type A ~ F, please refer to TPS for the detailed mechanism.