
Embedded-Festplattenkarte
512 MB ~ 8 GB
EDC 1SE Horizontal
Merkmale
- iSMART Festplatten-Gesundheitsüberwachung
- Intelligentes Fehlerwiederherstellungssystem
- Exzellente Datenübertragungsgeschwindigkeit
- Schreibschutz-Sicherheit
- Verbessertes Power-Cycling-Management
Die Innodisk Embedded-Festplattenkarte 1SE (EDC 1SE) Produkte bieten Solid-State-Flash-Speicher mit hoher Kapazität, der elektrisch dem ATA-Standard der Personal Computer Memory Card International Association entspricht. Die Innodisk Embedded-Festplattenkarte 1SE (EDC 1SE) ist ein eingebettetes Solid-State-Datenspeichersystem für den industriellen Einsatz. Die Embedded-Festplattenkarte 1SE (EDC 1SE) zeichnet sich durch ein extrem leichtes, zuverlässiges und flaches Gehäuseprofil aus.
Die Embedded-Festplattenkarte 1SE (EDC 1SE) unterstützt fortgeschrittene Übertragungsmodi wie PIO (0-4), Multi-Word DMA (0-2), Ultra DMA (0-4), Multi-Sektor-Transfers sowie LBA-Adressierung.
Schreibschutz – SICHERHEIT FÜR DATEN
Mit der bei SSDs von Innodisk integrierten Schreibschutz-Technologie können Anwender eine Nur-Lesen-Funktion aktivieren, die kritische Daten in Flash-Speichergeräten schützt und Änderungen oder eine böswillige Nutzung der Daten verhindert.

Wear-Levelling-Technologie – VERLÄNGERUNG DER PRODUKTLEBENSDAUER
Innodisk setzt die innovative Wear-Levelling-Technologie ein, um die Speicherverfahren für SSDs zu revolutionieren und damit deren Lebensdauer zu verlängern. Durch Anwendung dieser Technologie auf dynamische und statische Speicherblöcke werden die bislang verwendeten Konzepte von „heißen“ und „kalten“ Zonen im Speicher eliminiert. Alle Zonen des Speichers werden systematisch und in einem ausgewogenen Verhältnis genutzt und alle Blöcke des Flash-Speichers kommen optimal zum Einsatz.

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
SPEZIFIKATIONEN
Model Name | EDC 1SE Horizontal |
---|---|
Flash Type | SLC |
Interface | PATA |
Form Factor | Embedded Disk Card |
Capacity | 512MB ~ 8GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 40 / 28 |
P/E Cycle | 60,000 |
TBW (Max.) | -- |
Storage Temperature | -55°C ~ 95°C |
Max. Power Consumption | 0.8V |
Max. Channels | 2 |
External DRAM Buffer | N |
Features | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 48.0 x 32.6 x 7.3 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
BESTELLINFORMATIONEN
Betriebstemperatur | Standardklasse (0°C ~ 70°C) | Industriequalität (-40°C ~ 85°C) |
512MB | DE*P%-512D41AC1SB | DE*P%-512D41AW1SB |
1GB | DE*P%-01GD41AC1DB | DE*P%-01GD41AW1DB |
2GB | DE*P%-02GD41AC1DB | DE*P%-02GD41AW1DB |
4GB | DE*P%-04GD41AC1DB | DE*P%-04GD41AW1DB |
8GB | DE*P%-08GD41AC1DB | DE*P%-08GD41AW1DB |
*. 0: 40-pin / 4: 44-pin
%. Type A ~ F, please refer to TPS for the detailed mechanism.