DDR5
Memoria sin Búfer con ECC
DDR5 ECC UDIMM VLP
Características
- Ahorra un 40% de espacio en el sistema con el diseño VLP (Very Low Profile)
- ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Velocidades de hasta 5600MT/s con capacidades de hasta 32GB
- Entorno operativo: 0°C ~ 95°C (Tc)
- IC de grado original DDR5 equipado con funcionalidad ECC en el chip
- PMIC en el módulo DDR5 y estructura de doble subcanal
- El dedo dorado de 30μ” garantiza la durabilidad, con protección anti-azufre contra condiciones adversas
- Cumple con las certificaciones RoHS y CE / FCC
A medida que la IA impulsa las crecientes demandas de transmisión de datos, la DRAM DDR5 se destaca como la opción óptima. Con los avances en el diseño y el desarrollo, la DDR5 ofrece hasta 32 GB de capacidad y una velocidad de 5600 MT/s, superando a las generaciones anteriores en rendimiento general.
AHORRO DEL 40 % DEL ESPACIO, MEJOR REFRIGERACIÓN Y FLEXIBILIDAD DEL SISTEMA
Con tan solo 1,8 cm de altura, el DDR5 ECC UDIMM VLP logra una reducción del 40 % en el uso del espacio. El diseño de perfil bajo optimiza el uso de PCB y reduce el consumo de recursos. Además, mejora el flujo de aire, optimiza la refrigeración de la memoria, reduce el consumo de energía y ofrece una mayor flexibilidad en la configuración del sistema.
MAYOR FIABILIDAD DE LOS DATOS, MENOR CONSUMO DE ENERGÍA
Los módulos DDR5 ECC UDIMM VLP están equipados con un circuito integrado de gestión de la energía (PMIC) en el módulo para mantener una alimentación estable a 1,1 V, lo que garantiza un funcionamiento consistente y eficiente. Además, el circuito integrado incluye una función ECC en el chip, proporcionando una capa adicional de protección contra la pérdida de datos, reduciendo el riesgo de errores y mejorando la fiabilidad general.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
VALIDACIÓN Y PRUEBAS DE GRADO INDUSTRIAL
Innodisk realiza una rigurosa validación cruzada de cada componente clave del módulo para garantizar la máxima estabilidad y compatibilidad.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
DDR5 PARA SERVIDOR DE MÚSICA DE ALTA GAMA
El equipo de música de alta gama a menudo enfrenta el desafío del espacio limitado en el sistema del servidor. Los módulos DRAM de perfil muy bajo de Innodisk están diseñados para integrarse perfectamente en sistemas compactos mientras mejoran la disipación del calor.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR5 ECC UDIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR5 Memory |
| DIMM Type | ECC UDIMM VLP |
| Speed | 4800 MT/s, 5600 MT/s |
| Density | 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.1V |
| PCB Height | 0.738 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M5C0-AGS2SCZQ | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 16GB ECC UDIMM VLP |
M5C0-AGM2SCZQ | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 16GB ECC UDIMM VLP |
M5C0-BGS2TCZQ | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 32GB ECC UDIMM VLP |
M5C0-BGM2TCZQ | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 32GB ECC UDIMM VLP |
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