DDR5
Memoria sin Búfer con ECC
DDR5 ECC SODIMM
Características
- ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Velocidades de hasta 5600MT/s con capacidades de hasta 48GB
- Entorno operativo: 0°C ~ 95°C (Tc)
- IC de grado original DDR5 equipado con funcionalidad ECC en el chip
- PMIC en el módulo DDR5 y estructura de doble subcanal
- El dedo dorado de 30μ” garantiza la durabilidad, con protección anti-azufre contra condiciones adversas
- Cumple con las certificaciones RoHS y CE / FCC
A medida que la IA impulsa las crecientes demandas de transmisión de datos, la DRAM DDR5 se destaca como la opción óptima. Con los avances en el diseño y el desarrollo, la DDR5 ofrece hasta 48 GB de capacidad y una velocidad de 5600 MT/s, superando a las generaciones anteriores en rendimiento general.
MAYOR FIABILIDAD DE LOS DATOS, MENOR CONSUMO DE ENERGÍA
Los módulos DDR5 ECC SODIMM están equipados con un circuito integrado de gestión de la energía (PMIC) en el módulo para mantener una alimentación estable a 1,1 V, lo que garantiza un funcionamiento consistente y eficiente. Además, el circuito integrado incluye una función ECC en el chip, proporcionando una capa adicional de protección contra la pérdida de datos, reduciendo el riesgo de errores y mejorando la fiabilidad general.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Choque térmico | de -40 °C a 110 °C, 500 ciclos |
| Prueba de anti-sulfuración | 480 horas, ASTM B809-95 |
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
Next-Gen Networking: How DRAM Memory Empowers Data Center Switches Amid the Data Explosion
This shift has made edge computing and cloud computing two parallel and complementary architectures, working together to support the demands of modern digital infrastructure.
TARJETA DE INTERFAZ DE RED INTELIGENTE
La DDR5 4800 32GB ECC SODIMM de Innodisk, integrada en una tarjeta de interfaz de red inteligente, supera los desafíos de NFV (Virtualización de Funciones de Red) al ofrecer compatibilidad de alto rendimiento con FPGA y CPU x86. Garantiza una potencia informática robusta, un gran ancho de banda, baja latencia y un funcionamiento fiable para los sistemas de IA.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR5 ECC SODIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR5 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM |
| Speed | 4800 MT/s, 5600 MT/s |
| Density | 16GB, 24GB, 32GB, 48GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 262pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.1V |
| PCB Height | 1.18 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M5D0-AGS2PCZQ | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 16GB ECC SODIMM |
M5D0-AGM2PCZQ | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 16GB ECC SODIMM |
M5D0-FGMZPCZQ | 3G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 24GB ECC SODIMM |
M5D0-BGS2QCZQ | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 32GB ECC SODIMM |
M5D0-BGM2QCZQ | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 32GB ECC SODIMM |
M5D0-GGMZQCZQ | 3G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 5600 48GB ECC SODIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
