DDR4
Memoria sin Búfer con ECC
DDR4 Mini ECC VLP
Características
- Adecuado para routers, switches y puentes de tamaño pequeño
- Perfil muy bajo, especializado para uso en sistemas 1U
- El ECC DIMM incorpora capacidades de corrección y detección de errores
- Totalmente probado y optimizado para estabilidad y rendimiento
- Utiliza circuitos integrados originales para cumplir con estrictos estándares industriales
- Protección contra la sulfuración en ambientes hostiles
- Entorno de operación: 0°C ~ 95°C (Tc)
- Cumple con RoHS, Certificación CE / FCC
El DDR4 Mini ECC VLP es un módulo compacto y de perfil muy bajo que permite su diseño en los routers, switches y puentes más pequeños. Los módulos están equipados con contactos dorados de 30μ” e incluyen corrección de errores de un solo bit.
Los módulos VLP DIMM están especializados para su uso en sistemas 1U, como centros de datos con servidores blade, donde la altura del sistema es inferior a 1,18 pulgadas. El diseño de estos módulos mejora el flujo de aire dentro del sistema y reduce el impacto térmico.
La función ECC está diseñada para detectar y corregir errores de un solo bit que ocurren durante el almacenamiento y la transmisión de datos. Los módulos ECC utilizan el Código de Hamming o la Redundancia Modular Triple para la detección y corrección de errores, y gestionan las correcciones de errores por sí mismos, sin solicitar que la fuente de datos reenvíe los datos originales.
PROTECCIÓN DE LOS MÓDULOS CON CAPA ANTI-SULFURACIÓN
El azufre está presente en numerosos sectores industriales. Cuando las aleaciones de plata del chip DRAM entran en contacto con gases sulfurosos, se produce una reacción corrosiva. Esta sulfuración reduce la conductividad y puede provocar rápidamente fallos en el producto.
Para evitarlo, Innodisk aplica una capa protectora sobre las zonas vulnerables, preservando así las aleaciones de plata.
FIABILIDAD COMPROBADA MEDIANTE PRUEBAS DE TERCEROS
Garantizar la durabilidad y fiabilidad de los componentes es esencial para cumplir con las exigencias de los entornos más difíciles. Nuestras soluciones se someten a rigurosas pruebas realizadas por terceros, en conformidad con estrictos estándares de la industria. Estas pruebas validan la robustez de nuestros productos bajo condiciones extremas, asegurando un rendimiento confiable en diversas aplicaciones.
| Package Drop Test | Drop Height 76 cm, ISTA-1A |
| Military Standard Vibration Test | Vibration Frequency 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7 |
ADAPTADO A SUS NECESIDADES ESPECÍFICA
SIDE FILL
El side fill refuerza la conexión entre los chips y la placa, proporciona una protección superior en entornos con fuertes vibraciones o estr’es mecánica.
BARNIZADO
El barnizado aplica una capa acrílica protectora sobre el PCB de la DRAM, protegiéndolo de elementos dañinos como la humedad, el polvo y las sustancias corrosivas.
IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
SERVIDOR EDGE
Diseñados para el edge computing, nuestros productos garantizan un rendimiento estable en condiciones adversas y permiten el procesamiento de datos en tiempo real en los dispositivos edge.
CENTRO DE DATOS
Nuestras soluciones son la columna vertebral de la computación moderna y ofrecen un alto rendimiento y fiabilidad para las operaciones con grandes volúmenes de datos.
COMUNICACIÓN
Nuestras soluciones garantizan un rendimiento fiable e ininterrumpido que respalda la infraestructura de redes y telecomunicaciones críticas incluso con cargas pesadas.
ESPECIFICACIONES
| Model Name | DDR4 Mini ECC VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | Mini ECC VLP |
| Speed | 2400 MT/s, 2666 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.738 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M4M0-4GSSXCSJ | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2400 4GB Mini ECC VLP |
M4M0-8GSSYCIK | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2666 8GB Mini ECC VLP |
M4M0-8GSSYCSJ | 512M x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2400 8GB Mini ECC VLP |
M4M0-8GS1XCSJ | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2400 8GB Mini ECC VLP |
M4M0-AGS1YCIK | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2666 16GB Mini ECC VLP |
M4M0-AGS1YCSJ | 1G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2400 16GB Mini ECC VLP |
M4M0-BGM2YCIK | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 2666 32GB Mini ECC VLP |