
DDR3
Memoria sin Búfer sin ECC
DDR3 XR-DIMM
Características
- El conector personalizado evita que el DIMM se afloje en condiciones difíciles
- Equipado con 2 orificios de montaje para garantizar una conexión firme
- Diseñado para aplicaciones aeroespaciales, críticas y otros usos en entornos hostiles
- Cumplimiento RoHS, certificación CE / FCC
* Para el XR-DIMM, todas las características pueden personalizarse, lo que también requiere establecer una nueva línea de proyecto personalizada. Sugerimos primero evaluar si las especificaciones del producto están de acuerdo con sus necesidades.
DDR3 XR-DIMM es el módulo de memoria más robusto de Innodisk, diseñado para aplicaciones críticas y entornos hostiles. Con un conector de socket de 300 pines, el XR-DIMM de Innodisk supera el estándar de recuento de pines establecido por el SFF Special Interest Group (SFF-SIG), garantizando una conexión segura y estable entre la CPU y el módulo DRAM. La serie está disponible en capacidades de 4GB y 8GB, con tasas de transferencia de 1600MT/s y 1866MT/s.
DRAM Robusta: DISEÑADA PARA ENTORNOS EXTREMOS
Los módulos DRAM robustos de Innodisk están diseñados para ofrecer un rendimiento excepcional en entornos desafiantes, lo que los hace ideales para aplicaciones aeroespaciales, de transporte y robótica.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | DDR3 XR-DIMM |
---|---|
DDR Generation | DDR3 Memory |
DIMM Type | XR-DIMM |
Speed | 1600 MT/s, 1866 MT/s |
Density | 4GB, 8GB |
Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
Pin Number | 300pin |
Bus Width | x64 |
Voltage | 1.35V, 1.5V |
PCB Height | 1.49 Inches |
Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
INFORMACIÓN DE P/N
P/N | Configuración IC | Rango | Temp. | Descripción |
M3XT-4GMJDL0E-K | 256M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 85°C | DDR3L 1866 4GB XR-DIMM |
M3XT-8GMSDL0E-P | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 85°C | DDR3L 1866 8GB XR-DIMM |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.