nanoSSD 3TE7

Merkmale

Compliant mit JEDEC MO-276 Spezifikation
SATA III 6,0Gb/s
Unterstützt NCQ
Intelligentes Flash Management und Echtzeit Garbage Collection
Unterstützt S.M.A.R.T. und iSMART Utility
Keine mechanischen Störungen

FÜR HÖCHSTE LEISTUNG ENTWICKELT

Innodisk nanoSSD ist ein integriertes SATA Speichergerät, das einen NAND Flash Controller und den neuesten NAND Flash in einem JEDEC MO-276 (μ SSD) Formfaktor mit Ball Grid Array (BGA) Gehäuse enthält. Die nanoSSD unterstützt SATA III 6,0Gb/s in sehr kompakten Abmessungen und bietet niedrigen Stromverbrauch sowie hohe Zuverlässigkeit. Sie ist die ideale Lösung für eingebettete, automobil, medizinische, Gaming und die meisten industriellen Anwendungen.

Garbage-Collection und TRIM-Technologien – OPTIMIERTE LEISTUNG VON SSDs

Garbage-Collection bezeichnet einen Vorgang, bei dem Daten – während sie noch in Gebrauch sind – in einen neuen Speicherblock kopiert werden. Anschließend können die Daten in dem Ausgangsspeicherblock vollständig gelöscht werden. Die TRIM-Technologie erlaubt es, die Anzahl der für die Garbage-Collection benötigten Operationen zu minimieren, wodurch unnötige Abnutzungen der SSD verringert und die Produktlebensdauer verlängert wird.

Garbage Collection and TRIM >

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT

TRANSPORT

Unsere Lösungen verbessern Betrieb, Management und Sicherheit bei Elektrofahrzeugen, Bussen, U-Bahnen und anderen Fahrzeugen.

INDUSTRIE / EMBEDDED

Unsere Produkte sind für raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine hohe Lebensdauer, um den Anforderungen der industriellen Automatisierung und Embedded Systemen gerecht zu werden.

AUTOMATISIERUNG

Unsere Produkte verbessern die Effizienz in automatisierten Systemen. Sie bieten ein präzises Datenmanagement und einen nachhaltigen, dauerhaften Betrieb in Industrieanwendungen.

SPEZIFIKATIONEN

Model Name	nanoSSD 3TE7
Flash Type	3D TLC
Interface	SATA III 6.0 Gb/s
Form Factor	M.2 1620
Capacity	32GB ~ 256GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)	560 / 260
P/E Cycle	3,000
TBW (Max.)	300
Storage Temperature	-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption	0.9W
Max. Channels	4
External DRAM Buffer	N
Feature	AES, S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)	16.0 x 20.0 x 1.74
Vibration	20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock	[email protected]
MTBF	>3 million hours
Warranty	3 Years