USB / USB EDC
8 GB ~ 128 GB
USB EDC Horizontal 2ME3
Merkmale
- Hohe Leistung mit USB 2.0 Schnittstelle
- Unterstützt Wear-Levelling
- Niedriger Stromverbrauch
- Fehlerkorrekturfähigkeit bis zu 72 Bit / 1024 Byte
- Stiftabstand 2,54 mm / 2,00 mm
- Montageloch unterstützt
- Unterstützt Weitbereichstemperatur von -40 °C bis 85 °C
Die Innodisk USB EDC (Embedded Disk Card) Produkte bieten hochkapazitiven USB-Flashspeicher, der elektrisch mit USB 2.0 kompatibel ist. Die Geräte zeichnen sich durch ein kompaktes, attraktives Gehäuse aus, und ermöglichen dank USB 2.0 und NAND-Flash-Architektur schnellere Datenübertragung.
Wear-Levelling-Technologie – VERLÄNGERUNG DER PRODUKTLEBENSDAUER
Innodisk setzt die innovative Wear-Levelling-Technologie ein, um die Speicherverfahren für SSDs zu revolutionieren und damit deren Lebensdauer zu verlängern. Durch Anwendung dieser Technologie auf dynamische und statische Speicherblöcke werden die bislang verwendeten Konzepte von „heißen“ und „kalten“ Zonen im Speicher eliminiert. Alle Zonen des Speichers werden systematisch und in einem ausgewogenen Verhältnis genutzt und alle Blöcke des Flash-Speichers kommen optimal zum Einsatz.
Schreibschutz – SICHERHEIT FÜR DATEN
Mit der bei SSDs von Innodisk integrierten Schreibschutz-Technologie können Anwender eine Nur-Lesen-Funktion aktivieren, die kritische Daten in Flash-Speichergeräten schützt und Änderungen oder eine böswillige Nutzung der Daten verhindert.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
INDUSTRIE / EMBEDDED
Unsere Produkte sind für raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine hohe Lebensdauer, um den Anforderungen der industriellen Automatisierung und Embedded Systemen gerecht zu werden.
AUTOMATISIERUNG
Unsere Produkte verbessern die Effizienz in automatisierten Systemen. Sie bieten ein präzises Datenmanagement und einen nachhaltigen, dauerhaften Betrieb in Industrieanwendungen.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | USB EDC Horizontal 2ME3 |
|---|---|
| Flash Type | MLC |
| Interface | USB 2.0 |
| Form Factor | USB EDC Horizontal |
| Capacity | 8GB ~ 128GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 35 / 35 |
| P/E Cycle | 3,000 |
| TBW (Max.) | 345 |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 0.7W |
| Max. Channels | 1 |
| External DRAM Buffer | N |
| Features | H/W Write Protect |
| Dimension (W x L x H/mm) | Pin Pitch 2.00 : 26.6 x 36.9 x 6.75 Pin Pitch 2.54 : 26.6 x 36.9 x 9.85 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 2 Years |
BESTELLINFORMATIONEN
Betriebstemperatur | Standardklasse (0°C ~ 70°C) | Industriequalität (-40°C ~ 85°C) |
8GB | DEUH%-08GI61BC1SC | DEUH%-08GI61BW1SC |
16GB | DEUH%-16GI61BC1SC | DEUH%-16GI61BW1SC |
32GB | DEUH%-32GI61BC1SC | DEUH%-32GI61BW1SC |
64GB | DEUH%-64G I61BC1SC | DEUH%-64GI61BW1SC |
128GB | DEUH%-A28I61BC1SC | DEUH%-A28I61BW1SC |
%. 1 : pin pitch = 2.54mm / 2 : pin pitch = 2.00mm