Industrielle SD-Karte 3SE3

Merkmale

SD 3,0 Schnittstelle
Hohe Leistung
Power Fail Management
BCH ECC Algorithmus implementiert

FÜR HÖCHSTE LEISTUNG ENTWICKELT

Innodisk 3SE3 ist eine industrielle SD-Kartenlösung mit integriertem industriellem Controller, die für eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit verbesserten Flash-Technologien und einer leistungsfähigen, konfigurierbaren BCH ECC Engine kann SD 3SE3 hohe Datenübertragungsraten erreichen.

Innodisk Industrielle SD-Karte 3SE3 bietet Kapazitäten von 4 GB bis 32 GB mit SLC NAND Flash und ist vollständig kompatibel mit SD 3,0 und SD 2,0 Spezifikationen.

Innodisk Industrielle SD-Karte 3SE3 ist speziell für Industrie-PCs und eingebettete Anwendungen für hohe Leistung entwickelt. Mit seinem geringen Stromverbrauch und den oben genannten Funktionen kann Innodisk Industrial SD 3SE3 für industrielle Automatisierung, SBC (Single-Board Computer), medizinische Geräte, Infotainment und mobile Anwendungen verwendet werden.

Schreibschutz – SICHERHEIT FÜR DATEN

Mit der bei SSDs von Innodisk integrierten Schreibschutz-Technologie können Anwender eine Nur-Lesen-Funktion aktivieren, die kritische Daten in Flash-Speichergeräten schützt und Änderungen oder eine böswillige Nutzung der Daten verhindert.

Write Protect >

ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT

INDUSTRIE / EMBEDDED

Unsere Produkte sind für raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine hohe Lebensdauer, um den Anforderungen der industriellen Automatisierung und Embedded Systemen gerecht zu werden.

UNTERHALTUNG

Unsere Produkte verbessern das Anwendererlebnis in Gaming-Systemen und auf Unterhaltungsplattformen, gewährleisten unterbrechungsfreien Betrieb und erfüllen Industriestandards.

AUTOMATISIERUNG

Unsere Produkte verbessern die Effizienz in automatisierten Systemen. Sie bieten ein präzises Datenmanagement und einen nachhaltigen, dauerhaften Betrieb in Industrieanwendungen.

SPEZIFIKATIONEN

Model Name	Industrial SD Card 3SE3
Flash Type	SLC
Interface	SD 3.0
Form Factor	SD Card
Capacity	4GB ~ 32GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)	37 / 31
P/E Cycle	60,000
TBW (Max.)	1,704
Storage Temperature	-55°C ~ 95°C
Max. Power Consumption	0.4W
Max. Channels	1
External DRAM Buffer	N
Features	H/W Write Protect
Dimension (W x L x H/mm)	24.0 x 32.0 x 2.1
Vibration	20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock	[email protected]
MTBF	>3 million hours
Warranty	5 Years

BESTELLINFORMATIONEN

Betriebstemperatur	Erweiterte Note (-25°C ~ 85°C)	Industriequalität (-40°C ~ 85°C)
4GB	DESDC-04GS02AE1SB	DESDC-04GS02AW1SB
8GB	DESDC-08GS02AE1SB	DESDC-08GS02AW1SB
16GB	DESDC-16GS02AE1SB	DESDC-16GS02AW1SB
32GB	DESDC-32GS02AE1SB	DESDC-32GS02AW1SB