DDR5
Unterstützt Edge AI und Generative AI-Anwendungen
DDR5 CUDIMM
Merkmale
- Bietet eine überragende Datenübertragungsrate von 6400 MT/s bei einer maximalen Kapazität von 64 GB
- Der Client Clock Driver (CKD) und die Transient Voltage Suppressors (TVS) Diode gewährleisten die Integrität und Zuverlässigkeit der Module
- Umfassend getestet und optimiert für datenintensive Anwendungen in KI und Edge Computing
- Betriebsumgebung: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
- 30 μ Goldkontakte gewährleisten Langlebigkeit und bieten eine Schwefelschutzabschirmung gegen raue Bedingungen
Die DDR5 6400-Serie bietet überlegene Leistung mit einer blitzschnellen Datenübertragungsrate von 6400 MT/s und einer erweiterten maximalen Kapazität von 64 GB. Diese Speicherlösung der nächsten Generation ist in verschiedenen Formfaktoren erhältlich, darunter CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM und RDIMM. Sie verfügt über fortschrittliche CKD-Technologie für verbesserte Signalintegrität und TVS-Schutz gegen Spannungsschwankungen. Mit einer Geschwindigkeitssteigerung von 14 % gegenüber früheren Generationen ist sie speziell für datenintensive Aufgaben in LLMs, generativer KI und Edge Computing optimiert.
BRANCHENFÜHRENDE GESCHWINDIGKEIT VON 6400 MT/S MIT MAXIMALER KAPAZITÄT VON 64 GB
Bietet überragende Geschwindigkeit mit einer Datenübertragungsrate von 6400 MT/s und erreicht damit eine Leistungssteigerung von 14 % gegenüber früheren Generationen. Die DDR5 6400-Serie verdoppelt die maximale Kapazität auf 64 GB pro Modul und erfüllt so die hohen Anforderungen von Edge-KI und datenintensiven Anwendungen.
CKD FÜR VERBESSERTE SIGNALINTEGRITÄT BEI HÖHEREN FREQUENZEN
Mit der neuen CKD-Komponente (Client Clock Driver) kann das DDR5 6400-Modul das Taktsignal puffern und mit jeder Dateneinheit ausrichten, was für die Aufrechterhaltung der Signalintegrität bei der Hochfrequenz-Datenübertragung unerlässlich ist.
VERHINDERT SPANNUNGSSCHWANKUNGEN MIT DER TVS-DIODE
Durch die Absorption des durch eine anormale Überspannung erzeugten Überstroms und dessen Ableitung zur Erde kann die Transient Voltage Suppressor (TVS)-Diode DRAM-Komponenten vor unbeabsichtigten Spannungsspitzen, wie beispielsweise elektrostatischer Aufladung und Stromschwankungen, schützen und dem DRAM-Modul Überspannungs- und ESD-Schutz bieten.
VIELSEITIGE FORMFAKTOREN MIT NEUESTER PLATTFORMKOMPATIBILITÄT
Erhältlich in verschiedenen Konfigurationen, darunter CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM und RDIMM, mit Kapazitätsoptionen von 8 GB bis 64 GB. Vollständig kompatibel mit den neuesten Intel- und AMD-Prozessoren und bietet flexible Lösungen für unterschiedliche Implementierungsanforderungen.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
BILDIDENTIFIZIERUNG
Ermöglicht Bildbearbeitung in Echtzeit und effiziente Erkennung durch Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung.
LARGE LANGUAGE MODELS (LLMs)
Unterstützt schnelleres Training und Inferenzen für komplexe Aufgaben in natürlicher Sprache.
DIGITALER ZWILLING
Ermöglicht präzise und schnelle Simulationen von Objekten aus der realen Welt.
TELEMEDIZIN
Ermöglicht präzise Diagnosen und ferngesteuerte chirurgische Eingriffe.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | DDR5 CUDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR5 Memory |
| DIMM Type | CUDIMM |
| Speed | 6400 MT/s |
| Density | 8GB, 16GB, 24GB, 32GB, 48GB, 64GB |
| Function | Non-ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x64 |
| Voltage | 1.1V |
| PCB Height | 1.23 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
BESTELLINFORMATIONEN
P/N | IC-Konfiguration | Rang | Temperatur | Beschreibung |
M510-8GMY1C1S | 1G x 16 | 1R x 16 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 8GB CUDIMM |
M510-AGM2JC1S | 2G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 16GB CUDIMM |
M510-FGMZJC1S | 3G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 24GB CUDIMM |
M510-BGM2KC1S | 2G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 32GB CUDIMM |
M510-BGM9JC1S | 4G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 32GB CUDIMM |
M510-GGMZKC1S | 3G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 48GB CUDIMM |
M510-CGM9KC1S | 4G x 8 | 2R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR5 6400 64GB CUDIMM |