DDR5
Stärken Sie Edge-KI- und generative KI-Anwendungen
DDR5 8000 RDIMM
Merkmale
- Registriert für die Verbesserung von Takt-, Befehls- und Steuersignalen
- Bietet eine überragende Datenübertragungsrate von 8000 MT/s bei einer maximalen Kapazität von 64 GB
- TVS-Diode (Transient Voltage Suppressors) und elektronische Sicherung (eFuse) gewährleisten die Integrität und Zuverlässigkeit der Module
- Umfassend getestet und optimiert für datenintensive Anwendungen in KI und Edge Computing.
- Betriebsumgebung: 0 °C ~ 95 °C (Tc)
- 30 μ" Goldkontakt sorgt für Langlebigkeit und bietet eine Schwefelschutzabschirmung gegen raue Bedingungen
Die DDR5 8000-Serie bietet überlegene Leistung mit einer blitzschnellen Datenübertragungsrate von 8000 MT/s und einer erweiterten maximalen Kapazität von 64 GB. Diese Speicherlösung der nächsten Generation ist in verschiedenen Formfaktoren erhältlich, darunter CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM und RDIMM. Sie verfügt über fortschrittliche CKD-Technologie für verbesserte Signalintegrität und TVS-Schutz gegen Spannungsschwankungen. Mit einer Geschwindigkeitssteigerung von 11% gegenüber früheren Generationen ist sie speziell für datenintensive Aufgaben in LLMs, generativer KI und Edge Computing optimiert.
BRANCHENFÜHRENDE GESCHWINDIGKEIT VON 8000 MT/S MIT MAXIMALER KAPAZITÄT VON 64 GB
Bietet überragende Geschwindigkeit mit einer Datenübertragungsrate von 8000 MT/s und erreicht damit eine Leistungssteigerung von 11% gegenüber früheren Generationen. Die DDR5 8000-Serie verdoppelt die maximale Kapazität auf 64 GB pro Modul und erfüllt so die hohen Anforderungen von Edge-KI und datenintensiven Anwendungen.
PREVENTS VOLTAGE FLUCTUATION WITH TVS DIODE
Durch die Absorption des durch eine anormale Überspannung erzeugten Überstroms und dessen Ableitung zur Erde kann die Transient Voltage Suppressor (TVS)-Diode DRAM-Komponenten vor unbeabsichtigten Spannungsspitzen, wie beispielsweise elektrostatischer Aufladung und Stromschwankungen, schützen und dem DRAM-Modul Überspannungs- und ESD-Schutz bieten.
VERBESSERTER MODULSCHUTZ MIT eFuse
Wenn eine Überspannung dazu führt, dass die eFuse ihre Belastung überschreitet, unterbricht die eFuse den Stromkreis und schützt so die Komponenten des DRAM-Moduls vor Schäden.
VIELSEITIGE FORMFAKTOREN MIT NEUESTER PLATTFORMKOMPATIBILITÄT
Erhältlich in verschiedenen Konfigurationen, darunter CUDIMM, CSODIMM, ECC CUDIMM, ECC CSODIMM und RDIMM, mit Kapazitätsoptionen von 8 GB bis 64 GB. Vollständig kompatibel mit den neuesten Intel- und AMD-Prozessoren und bietet flexible Lösungen für unterschiedliche Implementierungsanforderungen.
ERFOLGREICH IN DYNAMISCHEN UMGEBUNGEN EINGESETZT
GROSSE SPRACHENMODELLE (LLMs)
Unterstützt schnelleres Training und Inferenzen für komplexe Aufgaben in natürlicher Sprache.
DIGITALER ZWILLING
Ermöglicht präzise und schnelle Simulationen von Objekten aus der realen Welt.
TELEMEDIZIN
Ermöglicht präzise Diagnosen und ferngesteuerte chirurgische Eingriffe.
BILDIDENTIFIZIERUNG
Ermöglicht Bildbearbeitung in Echtzeit und effiziente Erkennung durch Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung.
SPEZIFIKATIONEN
| Model Name | DDR5 8000 RDIMM |
|---|---|
| DDR Generation | DDR5 Memory |
| DIMM Type | RDIMM |
| Speed | 8000 MT/s |
| Density | 16GB, 24GB, 32GB, 48GB, 64GB |
| Function | Registered Memory with ECC |
| Pin Number | 288pin |
| Bus Width | x80 |
| Voltage | 1.1V |
| PCB Height | 1.23 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
BESTELLINFORMATIONEN
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