SATADOM
8GB ~ 128GB
SATADOM-MV 3ME4
특징
- 산업용 SATA III 솔루션
- 독자적인 L³ 아키텍처
- DRAM-less 설계 및 100% 데이터 무결성 보장
- 우수한 랜덤 성능
- 하드웨어 LDPC ECC 엔진 탑재
- Pin 8 전원 공급 기능 내장
- 하드웨어 쓰기 방지(Write Protection) 기능 지원
- -40°C ~ 85°C의 광범위한 온도 범위 지원
Innodisk SATADOM-MV 3ME4는 최신 SATA III(6.0GHz) Marvell NAND 컨트롤러와 L³ 아키텍처를 탑재한 제품입니다. Innodisk 고유의 L³ 아키텍처는 기존 L² 아키텍처에 LDPC(Low Density Parity Check) 기술을 결합한 형태입니다. L²(Long Life) 아키텍처는 WAF(Write Amplification Factor)를 줄여주는 4K 매핑 알고리즘과 실시간 웨어 레벨링(wear leveling) 알고리즘을 통해 뛰어난 신뢰성을 바탕으로 고성능과 긴 수명을 보장합니다.
산업용으로 설계된 Innodisk SATADOM-MV 3ME4는 TRIM, NCQ, S.M.A.R.T. 등 다양한 표준 기능을 지원합니다. 또한, Innodisk만의 산업용 펌웨어를 통해 유연한 맞춤형 서비스를 제공하므로 다양한 산업 분야의 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.
혁신적인 'Pin 8' 기술은 SATA 커넥터 자체를 전원 공급원으로 활용하여 별도의 케이블 없이도 장치를 구동할 수 있게 해줍니다. 따라서 추가 전원 케이블 없이 고객 시스템의 SATA 온보드 소켓에 직접 연결할 수 있습니다. 또한 HDD(하드 디스크 드라이브) 대비 부팅 시간과 전력 소모가 적으며, ATA 프로토콜을 준수하면서 가혹한 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 별도의 드라이버 설치가 필요 없으며, 부팅용 장치 또는 데이터 저장 장치로 구성하여 사용할 수 있습니다.
케이블 없는 전원 - 간소화된 연결성
Innodisk의 SATADOM SSD는 임베디드 시스템, 산업용 컴퓨터 또는 서버 마더보드에 원활하게 통합되도록 설계되었습니다. 특허받은 핀 7 / 핀 8 Vcc 기술을 통해 플러그 앤 플레이 기능을 지원하는 이 드라이브에는 추가 전원 케이블이 필요 없으며 케이블이 필요 없는 간소화된 설정이 보장됩니다.
가비지 컬렉션 및 트림 기술 - SSD 성능 최적화
가비지 컬렉션은 아직 사용 중인 데이터를 새 블럭에 복사한 다음 이전 블럭에서 모든 데이터를 지우는 프로세스입니다. TRIM 기술을 사용하면 가비지 컬렉션에 필요한 작동 횟수를 최소화하여 SSD의 불필요한 마모를 줄이고 수명을 늘릴 수 있습니다.
쓰기 보호 - 데이터 보안 보호
Innodisk SSD의 내장된 쓰기 보호 기술을 통해 사용자는 읽기 전용 기능을 활용하여 플래시 스토리지 장치 내의 중요한 데이터를 보호하고 무단 수정이나 악의적인 사용을 방지할 수 있습니다.
웨어 레벨링 기술 - 제품 수명 연장
Innodisk는 혁신적인 웨어 레벨링 기술을 채택하여 SSD 스토리지 방식을 혁신적으로 개선함으로써 수명을 향상시켰습니다. 이 기술을 동적 및 정적 스토리지 블럭에 모두 적용함으로써 핫존과 콜드존이라는 기존의 개념을 없애 전체 영역의 마모 균형을 달성하고 모든 플래시 메모리 블럭의 사용을 최적화합니다.
동적 환경에서 성공적으로 실행하기
산업/임베디드
열악한 환경에 맞춰 설계된 Innodisk의 제품은 산업 자동화 및 임베디드 시스템의 요구 사항을 충족하는 높은 내구성을 제공합니다.
감시 & 안전
Innodisk의 솔루션은 최신 보안 감시 요구에 맞는 고급 분석 및 즉각적 대응을 제공합니다.
통신
Innodisk의 솔루션은 과부하 상태에서도 네트워킹 및 중요 통신 인프라를 지원하여 안정적이고 중단 없는 성능을 보장합니다.
사양
| Model Name | SATADOM-MV 3ME4 |
|---|---|
| Flash Type | MLC |
| Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
| Form Factor | SATADOM-MV |
| Capacity | 8GB ~ 128GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 530 / 120 |
| P/E Cycle | 3,000 |
| TBW (Max.) | 208 |
| Storage Temperature | -55°C ~ 95°C |
| Max. Power Consumption | 1.1W |
| Max. Channels | 2 |
| External DRAM Buffer | N |
| Feature | H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 25.26 x 41.3 x 10.73 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 2 Years |
주문 정보
작동 온도 | 표준 온도 (0°C ~ 70°C) | 산업용 온도 (-40°C ~ 85°C) |
8GB | DESMV-08GM41BC1SC* | DESMV-08GM41BW1SC* |
16GB | DESMV-16GM41BC1DC* | DESMV-16GM41BW1DC* |
32GB | DESMV-32GM41BC1DC* | DESMV-32GM41BW1DC* |
64GB | DESMV-64GM41BC1DC* | DESMV-64GM41BW1DC* |
128GB | DESMV-A28M41BC1DC* | DESMV-A28M41BW1DC* |
*PN 끝자리 A: 핀 8 + 전원 케이블 / B: 핀 8 + 핀 7
