台湾台北 – 2018年5月22日 – フラッシュメモリは不揮発性のストレージメディアです。つまり、SSD(Solid State Drive)上のデータは電源を必要とすることなく保持されます。しかしながら、データの損失や劣化に繋がるいくつかの要因も存在します。
高温と頻繁なプログラム(書込)/消去(P/E)サイクルは、両者ともデータ保持に重大な影響を与える可能性があります。フラッシュ内の全てのセルはバイナリ(2進)値 (例えば01,10など) を表す負の電荷をもっています。これらのセルは一般的にはこの電荷を保持するのに非常に優れていますが、いまは電荷の一部が漏れてしまっています。エラー訂正コードは、通常これを取り出して問題を解決するのに非常に優れています。
しかし、高温環境下では漏れの速度が速くなってしまいます。テストによると、標準のMLCフラッシュのデータ保持は40℃から85℃に移行すると168倍減少することが示されています。これは、通常2年間保持されるデータについて、わずか5日で問題が発生することを意味します。この問題はP/Eサイクル数が増えることでさらに悪化し、頻繁に書き込みが行われる環境のSSDが特に危険にさらされていることになります。
Innodisk の新たな iRetention™ テクノロジーは、弊社独自ファームウェアとハードウェアの革新によりこの問題を解決します。オンボードのセンサーが温度を常時監視し、P/Eサイクル数と共にデータをリフレッシュする頻度の計算に用いられます。これらは全てSSD自体で処理され、環境の変化に応じて自己で調整を行います。
南港展示会場6/5-9ブース番号:1F、J0618
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