
SSD de 2,5"
Solución Ultra iSLC
2,5" SATA SSD 3IE7
Características
- Hasta 100.000 ciclos P/E, extendiendo la vida útil hasta 33 veces
- Utiliza la tecnología Ultra iSLC
- Equipado con memoria NAND Flash TLC 3D de 112 capas
- Soporta temperaturas de -40°C a 85°C
- 5 años de garantía y compromiso de longevidad
El Innodisk 2,5” SATA 3IE7 es una unidad flash basada en SATA III 6.0 Gb/s diseñada para aplicaciones industriales. Impulsada por la exclusiva tecnología Ultra iSLC, ofrece hasta 100.000 ciclos P/E, lo que mejora significativamente la vida útil de la unidad. También incluye un sensor térmico y la Protección Integral de la Ruta de Datos (ETEP), garantizando la integridad y fiabilidad de los datos en entornos industriales.
CICLO DE P/E DE 100.000, MAYOR VIDA ÚTIL (33x)
La 2,5" SATA 3IE7, equipada con 3D TLC NAND Flash BiCS5 de 112 capas y la tecnología exclusiva Ultra iSLC de Innodisk, alcanza un ciclo de programación/borrado (P/E) líder en la industria de 100 000. Este avance prolonga la vida útil del dispositivo hasta 33 veces en comparación con la tecnología 3D TLC NAND Flash convencional.

iData Guard: TECNOLOGÍA DE PROTECCIÓN DE DATOS
iData Guard permite el envío inmediato de un comando en caso de un corte repentino del suministro eléctrico, interrumpiendo las operaciones de lectura y escritura del sistema y asegurando la finalización del último comando. Esto preserva la integridad de los datos en el SSD y protege su seguridad.

iPower Guard: TECNOLOGÍA DE PROTECCIÓN ELÉCTRICA
iPower Guard es un mecanismo de protección proactiva diseñado para entornos con suministro eléctrico. Proporciona protección adicional para los SSD tanto en el arranque como en el apagado, evitando problemas de rendimiento del sistema derivados de la inestabilidad eléctrica.

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS
ESPECIFICACIONES
Model Name | 2.5" SATA SSD 3IE7 |
---|---|
Flash Type | iSLC (3D TLC) |
Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
Form Factor | 2.5" SSD |
Capacity | 20GB ~ 640GB |
Sequential R / W (MB/sec, max.) | 560 / 510 |
P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
TBW (Max.) | 40,000 |
Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
Max. Power Consumption | 2.2W |
Max. Channels | 4 |
External DRAM Buffer | N |
Feature | AES, H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
Dimension (W x L x H/mm) | 69.8 x 100.0 x 6.8 |
Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
Shock | [email protected] |
MTBF | >3 million hours |
Warranty | 5 Years |
INFORMACIÓN DE P/N
Temperatura Operativa | Grado Estándar (0°C ~ 70°C) | Grado Industrial (-40°C ~ 85°C) |
20GB | DHS25-20GDK1EC3DF | DHS25-20GDK1EW3DF |
40GB | DHS25-40GDK1%C*&F | DHS25-40GDK1%W*&F |
80GB | DHS25-80GDK1%C*QF | DHS25-80GDK1%W*QF |
160GB | DHS25-A60DK1%C*QF | DHS25-A60DK1%W*QF |
320GB | DHS25-D2GDK1%C*QF | DHS25-D2GDK1%W*QF |
640GB | DHS25-F4GDK1KCCQF | DHS25-F4GDK1KWCQF |
%. E : 64 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
*. PCB version control
&. S : 1 channel / D : 2 channels / Q : 4 channels